Busca avançada
Ano de início
Entree

Reator assistido por plasma de microondas para crescimento de diamante CVD semicondutor

Processo: 99/03872-0
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de agosto de 1999
Vigência (Término): 31 de dezembro de 2002
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:Evaldo Jose Corat
Beneficiário:Luís Francisco Bonetti
Instituição-sede: Faculdade de Engenharia. Universidade São Francisco (USF). Campus Itatiba. Itatiba , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores   Diamante   Filmes finos   Micro-ondas   Dopagem eletrônica

Resumo

Este projeto trata do crescimento de diamante obtido por deposição química a partir da fase vapor (CVD, do inglês Chemical Vapor Deposition). O objetivo é o desenvolvimento em um novo reator assistido por plasma de microondas, para aumentar a capacidade de pesquisa instalada no Laboratório de Crescimento de Diamante da Faculdade de Engenharia da Universidade São Francisco. Este tipo de reator tem vantagens sobre os reatores de filamento quente, pois permite o crescimento de filmes mais puros, sem a inclusão de metais provenientes do filamento. Este tipo de reator é mais adequado para aplicações em que filmes de alta pureza são necessários, como filmes para aplicações ópticas ou, em particular, para estudos de dopagem de diamante semicondutor. (AU)

Mapa da distribuição dos acessos desta página
Para ver o sumário de acessos desta página, clique aqui.