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Estudo de filmes de a-si:h e a-six-1 cx: h obtidos por pecvd visando sua aplicacao em optica, dispositivos de filme fino sobre substratos polimericos e mems.

Processo: 06/04859-2
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de janeiro de 2007
Vigência (Término): 31 de dezembro de 2007
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
Pesquisador responsável:Ines Pereyra
Beneficiário:Marcus Vinicius Pelegrini
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Carbeto de silício   Semicondutores amorfos   Desenvolvimento de novos materiais   Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD)

Resumo

O presente projeto trata da produção, pela técnica de PECVD, estudo e caracterização de Filmes Finos de Carbeto de Silício amorfo hidrogenado (a-Six-1Cx:H) de alto gap ótico. Os filmes serão crescidos a baixas temperaturas (<250ºC), visando sua aplicação em dispositivos ópticos, MEMS e dispositivos eletrônicos de filme fino sobre substrato polimérico.

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