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Produção e caracterização de filmes a base de silício, pelas técnicas de PECVD e RF magnetron sputtering, para aplicações em optoeletrônica

Processo: 09/02315-3
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de agosto de 2009
Vigência (Término): 31 de julho de 2011
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica
Pesquisador responsável:Ines Pereyra
Beneficiário:Marcia Ribeiro
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Eletroluminescência   Óptica eletrônica   Fotoluminescência

Resumo

Este projeto de pesquisa tem por objetivo desenvolver estudos da funcionalidade de materiais à base de silício para aplicações em óptica tendo em vista a destacada emissão luminescente observada por diversos pesquisadores a partir dos estudos com silício poroso relatados por Canham em 1990. A busca de novos materiais com propriedades ópticas a base de silício tem motivado diversos pesquisadores com interesse de adicionar novas funcionalidades à bem estabelecida microeletrônica. Esse interesse vem de encontro ao do grupo de novos materiais e dispositivos (GNMD) da Escola Politécnica da USP, onde será realizado este projeto, e que no âmbito do projeto temático FAPESP: "Produção, caracterização e aplicações de ligas semicondutoras e isolantes" (Processo Nº 00/10027-3) desenvolveu o estudo das propriedades luminescentes de filmes a base de silício, produzidos pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD). A proposta é, a partir dos processos de deposição por PECVD e magnetron sputtering, técnicas com as quais o Grupo de Novos Materiais e Dispositivos (GNMD) nos últimos anos demonstrara destacada experiência na obtenção de materiais dielétricos como o SiO2 o SiOxNy e Si3N4, produzir filmes amorfos de nitreto de silício subestequiométrico (SiNx) visando aplicações ópticas. Pretende-se também estabelecer novas aplicações a esses filmes a partir das caracterizações estruturais, ópticas e elétricas.