Busca avançada
Ano de início
Entree

Estudo de propriedades estruturais e opticas de ligas de inxga1-xn e de baixa dimensionalidade baseadas nestas ligas.

Processo: 99/07874-7
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de dezembro de 1999
Vigência (Término): 31 de janeiro de 2002
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:José Roberto Leite
Beneficiário:Marcionilio Teles de Oliveira Silva
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V, AP.TEM
Assunto(s):Nitretos   Propriedades estruturais   Espectroscopia Raman   Pontos quânticos   Semicondutores

Resumo

Os semicondutores GaN e InN são extremamente importantes tanto teórico quanto experimentalmente. Eles são considerados como materiais únicos na optoeletrônica. A emissão estimulada opticamente excitada já foi obtida em camadas crescidas por MbE de c-GaN, e evidências de formação de pontos quânticos auto-organizados em ligas de InGaN já foram observadas. Neste projeto, pretendemos usar métodos espectroscópicos para investigar as ligas de InGaN e estrutura de baixa dimensionalidade baseadas nestas ligas. (AU)