| Processo: | 03/06080-4 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de novembro de 2003 |
| Data de Término da vigência: | 20 de janeiro de 2004 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Aline Yvette Ramos |
| Beneficiário: | Gustavo de Medeiros Azevedo |
| Instituição Sede: | Associação Brasileira de Tecnologia de Luz Síncrotron (ABTLuS). Campinas , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Espectroscopia por absorção de raios X |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Exafs | Nano-Estruturas Semicondutoras | Xanes |
Resumo Nanocristais de elementos do grupo IV encapsulados em sílica são sistemas de grande interesse por apresentarem fotoluminescência, cuja origem ainda não foi inequivocamente identificada. Na extensa literatura a respeito deste tema, foram propostos uma variedade de mecanismos para explicar a emissão de luz por estas nanopartículas. Entre eles, podemos citar a presença de defeitos na interface das partículas e o meio, confinamento quântico e a presença de fases estruturais diferentes da encontrada no material massivo. Visto que o arranjo geométrico dos átomos determina as propriedades ópticas e eletrônicas, uma descrição detalhada da estrutura do sistema no nível atômico e um bom entendimento de sua dependência com as condições de síntese são de grande importância. Com o intuito de entender melhor a origem da fotoluminescência em nanocristais de Si, Ge e Sn, utilizaremos uma variedade de técnicas experimentais baseadas em radiação síncrotron, a fim de determinar como as condições de síntese influenciam as distribuições de tamanho, a estrutura geométrica local e a estrutura eletrônica destas nanopartículas. A espectroscopia de absorção de raios-x (XAS) será a principal técnica experimental a ser utilizada na execução deste projeto, visto que permite investigar simultaneamente as estruturas geométrica e eletrônica de sistemas nanoestruturados. (AU) | |
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