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Propriedades eletronicas de heteroestruturas semicondutoras iii-v crescidas em direcoes (11n).

Processo: 99/06804-5
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de outubro de 1999
Vigência (Término): 31 de janeiro de 2001
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Luísa Maria Ribeiro Scolfaro
Beneficiário:Guilherme Matos Sipahi
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V, AP.TEM

Resumo

Propõe-se a generalização do método dc calculo da estrutura dc bandas utilizado para estruturas crescidas na direção (001) no estudo de estruturas crescidas em direções(11n). O projeto inclui o estudo de super-redes, poços isolados, estruturas d-doping e heteroestruturas. Incluir-se-á também no formalismo o tratamento do tensionamento da estrutura e a ampliação dos métodos para a comparação dos resultados obtidos com resultados experimentais. (AU)