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Crescimento e aplicacao de pontos quanticos de inas auto-organizados emitindo em 1.3 e 1.55 micrometros.

Processo: 03/09398-5
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de junho de 2004
Vigência (Término): 18 de abril de 2006
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Gennady Gusev
Beneficiário:Tomás Erikson Lamas
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V, AP.TEM
Assunto(s):Microscopia de força atômica   Dispositivos   Epitaxia por feixe molecular   Pontos quânticos   Fotoluminescência

Resumo

Este projeto tem como objetivo o crescimento por epitaxia por feixe molecular (MBE, molecular beam epitaxy) de camadas de pontos quânticos auto-organizados de InAs/GaAs para aplicação em dispositivos optoeletrônicos. A principal meta é obter estruturas de alta qualidade emitindo nos comprimentos de onda de interesse para a telecomunicação por fibras ópticas (1.3 e 1.55μm). A maior parte deste trabalho será voltada para o estudo dos mecanismos de crescimento dos pontos quânticos, de modo a obtermos tanto a sintonia de sua emissão nos comprimentos de onda desejados quanto uma alta densidade de estruturas. Este plano de pesquisa propõe um estudo sistemático e dirigido para a otimização das condições de crescimento das camadas e sua aplicação na construção de diodos emissores de luz e lasers semicondutores de emissão lateral. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
T. E. LAMAS; A. A. QUIVY. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2a, p. 405-407, Jun. 2006.

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