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Transporte eletronico em sistemas mesoscopicos.

Processo: 02/05122-2
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de outubro de 2002
Vigência (Término): 31 de março de 2004
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Gennady Gusev
Beneficiário:Nilo Mauricio Sotomayor Choque
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V, AP.TEM
Assunto(s):Transporte eletrônico   Pontos quânticos

Resumo

Este projeto de pós-doutorado faz parte do projeto temático (Proc. 98/12779-0) cujo coordenador é o Prof. José Roberto Leite. Pretende-se estudar as propriedades de transporte de sistemas mesoscopicos em heteroestruturas crescidas por epitaxia de feixe molecular (MBE). Isto é, a construção e caracterização de dispositivos mesoscopicos em heteroestruturas contendo o gás bidimensional de elétrons, em substratos não planares pré-padronizados de GaAs, poços quânticos parabólicos contendo super-redes de antipontos, e pontos quânticos em sistemas contendo o gás tridimensional de elétrons. Para tal, contamos com o equipamento de crescimento epitaxial do Laboratório de Novos Semicondutores do IFUSP, e conta-se também com a colaboração do Prof. J. C. Portal do Centre National da Recherche Scientifique, de Grenoble, com reconhecida experiência no estudo de sistemas semicondutores em campos magnéticos intensos. A caracterização destes materiais será realizada empregando-se a infra-estrutura do grupo LNMS do IFUSP. (AU)