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Caracterização experimental de amplificadores de tensão CMOS a ganho programável

Processo: 02/01678-6
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de junho de 2002
Vigência (Término): 31 de maio de 2003
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos
Pesquisador responsável:Jader Alves de Lima Filho
Beneficiário:Antonio David da Costa Souza
Instituição-sede: Faculdade de Engenharia (FEG). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Guaratinguetá. Guaratinguetá , SP, Brasil
Assunto(s):Circuitos integrados

Resumo

Neste trabalho de Iniciação Científica objetiva-se a caracterização experimental de amplificadores de tensão integrados CMOS previamente projetados no grupo de pesquisa Projeto VLSI & Instrumentação (DEE/FE-G/UNESP) e integrados com processo 0.8um CMOS AMS através do Projeto Multi-Usuário FAPESP. As referidas amostras encontram-se atualmente disponíveis. Os estágios de transcondutância e transresistência, nos quais o amplificador é decomposto, possuem como elemento de base o transistor operando em região triodo. Deste modo, o ganho de tensão é estabelecido de maneira precisa por uma razão geométrica entre transistores, assim como por uma razão entre tensões de polarização. Resultados de simulação indicam que os circuitos apresentam um ganho programável no intervalo continuo de 20 a 40dB. Por tratar-se de amplificadores do tipo fully-differential, uma cuidadosa preparação do sinal diferencial balanceado à entrada é exigida. O circuito foi projetado para operação a 1.8V e pretende-se verificar o limite inferior de operação visando aplicações de baixa-tensão, como pro exemplo, dispositivos de auxílio auditivo (hearing aids). Outro objetivo deste trabalho consiste no re-dimensionamento dos circuitos para operações a 1,4V e adaptação do layout existente de acordo com o processo de fabricação 0.35um CMOS MAS. (AU)

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