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Otimização do processo de preparação do Arseneto de Gálio amorfo pela técnica de evaporação flash

Processo: 98/12744-2
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de abril de 1999
Vigência (Término): 30 de setembro de 2001
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Ricardo Robinson Campomanes Santana
Beneficiário:Ricardo Robinson Campomanes Santana
Instituição-sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:97/06278-6 - Otimização dos processos de preparação de semicondutores amorfos do tipo III-V, AP.JP
Assunto(s):Hidrogenação   Semicondutores amorfos   Arsenieto de gálio

Resumo

O objetivo deste projeto é a otimização do processo de preparação de filmes de arseneto de gálio amorfo hidrogenados e não hidrogenados. Para isto será aperfeiçoada uma evaporadora flash existente. A hidrogenação será feita por bombardeio iônico, mediante a instalação de um canhão no sistema. Para estes estudos será necessária uma contínua realimentação entre as condições de deposição e as caracterizações. A caracterização das propriedades do material será obtida por diversas técnicas experimentais. Os resultados contribuirão para o melhor entendimento das propriedades físicas e possíveis aplicações do material. (AU)