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Residual stresses in silicon/silicon nitride nanopixels: multimillion atom molecular dynamics simulations

Processo: 98/12401-8
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Pesquisa
Vigência (Início): 28 de novembro de 1998
Vigência (Término): 22 de dezembro de 1998
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Antônio José Roque da Silva
Beneficiário:Antônio José Roque da Silva
Anfitrião: Rajiv K. Kalia
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Local de pesquisa : Louisiana State University (LSU), Estados Unidos  
Assunto(s):Simulação de dinâmica molecular   Programação paralela

Resumo

Estudo de estresse na interface Si(3)N(4)/Si através de simulação atomística (dinâmica molecular). Potenciais empíricos e computação paralela serão utilizados para podermos simular milhões de átomos, necessários aos estudos de estresses em interfaces. (AU)