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Propriedades estruturais e óticas de pontos quânticos crescidos sobre substratos orientados não convencionalmente

Processo: 98/01875-9
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Pesquisa
Vigência (Início): 01 de novembro de 1998
Vigência (Término): 31 de outubro de 2000
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Alexandre Levine
Beneficiário:Alexandre Levine
Anfitrião: Mohamed Henini
Instituição-sede: Pessoa Física
Local de pesquisa: University of Nottingham, Sutton Bonington, Inglaterra  
Assunto(s):Pontos quânticos   Semicondutores (físico-química)   Crescimento epitaxial

Resumo

Estaremos estudando pontos quânticos ("Quantum Dots") crescidos sobre substratos orientados não convencionalmente, utilizando técnicas como AFM, STM, PL (magneto ótica) e PL em alta pressão. Entre os materiais semicondutores usados para o crescimento epitaxial de pontos quânticos estão: GaAs, InAs e InGaAs. (AU)