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Estudo de interações hiperfinas eletromagnéticas em semicondutores binários e ternários usando a técnica de correlação angular gama-gama perturbada

Processo: 97/11817-3
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Pesquisa
Vigência (Início): 25 de março de 1998
Vigência (Término): 24 de março de 1999
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Rajendra Narain Saxena
Beneficiário:Rajendra Narain Saxena
Anfitrião: Reiner Vianden
Instituição-sede: Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN). Secretaria de Desenvolvimento Econômico (São Paulo - Estado). São Paulo , SP, Brasil
Local de pesquisa: Universität Bonn, Alemanha  
Assunto(s):Semicondutores (físico-química)

Resumo

A técnica de correlação angular gama-gama perturbada (CAP) será utilizada para investigar a estrutura eletrônica e propriedades microscópicas dos compostos semicondutores binários e ternários tipo AIII-BV, AII-BVI, AI-BIII C2 IV, AII BIV C2 V. Os isótopos 77-Br, 111-In e 111m-Cd serão usados como núcleos de prova nas medidas de cap. os núcleos de prova serão introduzidos nas amostras através de implantação iônica utilizando-se o separador de radioisótopos e implantador de íons da universidade de Bonn. (AU)