Investigação magneto-óptica de semicondutores para a spintrônica

• Processo: 09/16912-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Vigência (Início): 01 de abril de 2010
• Vigência (Término): 31 de maio de 2010
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Acordo de Cooperação: DAAD
• Pesquisador responsável: Andre Bohomoletz Henriques
• Beneficiário: Andre Bohomoletz Henriques
• Pesquisador Anfitrião: Dmitri Yakovlev
• Instituição no exterior: Technische Universität Dortmund (TU Dortmund), Alemanha
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Spintrônica Calcogênios Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Spintrônica | Fisica

Resumo

Calcógenos de európio são materiais semicondutores importantes com potencial para a aplicação em dispositivos spintronicos. Aqui iremos investigar camadas epitaxiais de EuTe e EuSe fabricadas por epitaxia de feixe molecular a fim de coletar novas evidências experimentais que irão aperfeiçoar o nosso conhecimento dos processos eletrônicos nestes sistemas. Os experimentos incluem rotação de Faraday resolvida no tempo, fotoluminescência resolvida no tempo e geração de segundo harmônico. A pesquisa tem por objetivo detectar e controlar o magnetismo eletrônico e nuclear com a utilização da luz. Ilhas quânticas de InAs embutidas em uma matriz de GaAs, e contendo eletrons aprisionados, fabricadas por MBE na Universidade de São Paulo, também serão investigadas pela técnica de teste-e-prova da rotação de Faraday, a fim de caracterizar suas propriedades spintronicas. (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

SCHWAN, A.; MEINERS, B-M.; HENRIQUES, A. B.; MAIA, A. D. B.; QUIVY, A. A.; SPATZEK, S.; VARWIG, S.; YAKOVLEV, D. R.; BAYER, M.. Dispersion of electron g-factor with optical transition energy in (In,Ga)As/GaAs self-assembled quantum dots. Applied Physics Letters, v. 98, n. 23, JUN 6 2011. (09/16912-3, 10/10452-8)