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Estudo das propriedades estruturais de semicondutores amorfos por EPR e NMR

Processo: 98/04214-3
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Pesquisa
Vigência (Início): 25 de julho de 1998
Vigência (Término): 24 de outubro de 1999
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Francisco das Chagas Marques
Beneficiário:Francisco das Chagas Marques
Anfitrião: P. Graig Taylor
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Local de pesquisa : University of Utah (U), Estados Unidos  
Assunto(s):Ligações de hidrogênio   Dopagem eletrônica   Filmes finos   Semicondutores   Materiais amorfos   Silício   Ressonância paramagnética

Resumo

Estudo de propriedades estruturais de filmes finos de semicondutores amorfos (a-Si:H e a-Ge:H) utilizando técnicas de ressonância paramagnética do elétron, EPR, e ressonância magnética nuclear, NMR. A técnica EPR será utilizado para o estudo da dependência da densidade de ligações pendentes neutras em filmes de a-Si:H dopados. Este parâmetro será de fundamental importância para uma avaliação da qualidade de filmes semicondutores amorfos e para a investigação dos mecanismos de dopagem dos filmes. O estudo com NMR será utilizado para investigar os sítios de hidrogênio, principalmente hidrogênio molecular (H2) armadilha dos intersticialmente ou em microvoids nos filmes de a-Si:H e a-Ge:H. (AU)