Estudo das propriedades eletro-ópticas de laser de poços quânticos tensionados de InGaAs/InGaAsP/InP

• Processo: 93/04149-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 01 de março de 1994
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 1995
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Ayrton Andre Bernussi
• Beneficiário: Ayrton Andre Bernussi
• Pesquisador Anfitrião: Henryk Temkin
• Instituição Sede: Centro de Pesquisa e Desenvolvimento. Telecomunicações Brasileiras S/A (TELEBRAS). Ministério das Comunicações (Brasil). Campinas , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: University of Colorado, Denver (CU), Estados Unidos
• Assunto(s): Lasers semicondutores Poços quânticos Arsenieto de índio e gálio Eficiência quântica Heteroestruturas Fosfeto de índio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dispositivos Lasers | Efeitos Nao Lineares | Eficiencia Quantica | Estruturas Quanticas | Ingaas/Ingaasp/Inp | Tensao Ou Compressao Biaxial

Resumo

O projeto consiste no estudo das propriedades eletro-ópticas de materiais e dispositivos lasers de poços quânticos simples (ou múltiplos) tensionados (ou não), de hetero-estruturas de InGaAs/InGaAsP/InP. Pretendemos avaliar sistematicamente a influência da espessura e do número de poços no desempenho dos dispositivos fabricados a partir destas estruturas, com ênfase na transição: poços quânticos com camadas mais espessas - heteroestruturas "bulk". Assim, podemos combinar as melhores características destes dois tipos de estrutura, objetivando a otimização dos mesmos para operação em altas temperaturas, mantendo uma alta eficiência. (AU)