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Estudo das propriedades eletro-ópticas de laser de poços quânticos tensionados de InGaAs/InGaAsP/InP

Processo: 93/04149-3
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Pesquisa
Vigência (Início): 01 de março de 1994
Vigência (Término): 31 de agosto de 1995
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Ayrton Andre Bernussi
Beneficiário:Ayrton Andre Bernussi
Anfitrião: Henryk Temkin
Instituição-sede: Centro de Pesquisa e Desenvolvimento. Telecomunicações Brasileiras S/A (TELEBRAS). Ministério das Comunicações (Brasil). Campinas , SP, Brasil
Local de pesquisa : University of Colorado, Denver (CU), Estados Unidos  
Assunto(s):Lasers semicondutores   Poços quânticos   Arsenieto de índio e gálio   Eficiência quântica   Heteroestruturas   Fosfeto de índio

Resumo

O projeto consiste no estudo das propriedades eletro-ópticas de materiais e dispositivos lasers de poços quânticos simples (ou múltiplos) tensionados (ou não), de hetero-estruturas de InGaAs/InGaAsP/InP. Pretendemos avaliar sistematicamente a influência da espessura e do número de poços no desempenho dos dispositivos fabricados a partir destas estruturas, com ênfase na transição: poços quânticos com camadas mais espessas - heteroestruturas "bulk". Assim, podemos combinar as melhores características destes dois tipos de estrutura, objetivando a otimização dos mesmos para operação em altas temperaturas, mantendo uma alta eficiência. (AU)