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Estudo e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS-TFT a baixa temperatura

Processo: 98/02159-5
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de setembro de 1998
Vigência (Término): 31 de agosto de 2002
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Nilton Itiro Morimoto
Beneficiário:Carlos Eduardo Viana
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Circuitos eletrônicos   Transistores   Filmes finos   Silício   Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD)   Cristalização

Resumo

Estudar o processo de cristalização em fase sólida para aplicação no processo de fabricação de Transistores de Filmes Finos (TFTs), e desenvolver o processo de fabricação de transistores de filmes finos, canal P, visando sua aplicação na Tecnologia MOS. A tecnologia de fabricação de Transistores de Filmes Finos (TFTs) é amplamente utilizada pela indústria de painéis de cristal liquido. Esta tecnologia pode também ser utilizada na construção de sensores inteligentes como pré-amplificador do sinal captado pelo sensor. A tecnologia de TFTs encontra-se bem desenvolvida para transistores canal N, no entanto, os transistores canal P foram muito pouco estudados, devido às suas características elétricas inferiores em relação aos transistores canal N. Para muitas aplicações é necessário se ter disponível os dois tipos de transistores (canal P e canal N), de modo a possibilitar a utilização da tecnologia CMOS para o projeto de circuitos eletrônicos. (AU)