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Otimização dos processos de síntese e caracterização de filmes amorfos de GaAs preparados pela técnica de RF-magnetron sputtering

Processo: 00/06634-1
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Apoio a Jovens Pesquisadores
Vigência (Início): 01 de julho de 2000
Vigência (Término): 30 de abril de 2002
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Johnny Vilcarromero López
Beneficiário:Johnny Vilcarromero López
Instituição-sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:00/03876-4 - Otimização dos processos de síntese e caracterização de filmes amorfos de GaAs preparados pela técnica de RF-magnetron-sputterin, AP.JP

Resumo

O presente projeto de pesquisa tem como objetivo principal a otimização dos processos de síntese e caracterização de filmes finos de arseneto de gálio amorfo (a-GaAs), preparados pela técnica de rf-magnetron sputtering em baixas temperaturas (abaixo de 500 oC). O estudo das propriedades deste material envolve seus estados de defeitos, sua estrutura, e suas constantes opto-eletrônicas e termomecânicas. Os estados de defeitos serão estudados medindo-se a absorção óptica a energias menores que o gap, utilizando-se a técnica de PDS. Um equipamento de PDS será montado para este fim. As propriedades estruturais serão abordadas principalmente através de medidas de micro-Raman. Também serão usadas a espectroscopia de Infravermelho e a difração de raios-X. No que se refere às propriedades termomecânicas, será estudado o stress, o coeficiente de dilatação térmica e o biaxial modulus dos filmes. Dentro do contexto da otimização do processo de síntese do arseneto de gálio será utilizada uma constante avaliação entre as condições de preparação empregadas no crescimento destes filmes e as suas propriedades estudadas, principalmente com o intuito de obter filmes com a menor densidade de defeitos (ligações distorcidas, ligações pendentes, voids). Será também estudada a influencia do hidrogênio preparando-se amostras com o sem este elemento. Estes estudos visam entender como as condições de preparação influenciam nos estados de defeitos e na estrutura do arseneto de galio amorfo (a-GaAs). (AU)