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Estabilidade, reatividade e propriedades eletrônicas de aglomerados de silício e silício-germaneo.

Processo: 03/00349-1
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de junho de 2003
Vigência (Término): 31 de maio de 2006
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física Atômica e Molecular
Pesquisador responsável:Arnaldo Dal Pino Júnior
Beneficiário:Luiz Roberto Marim
Instituição-sede: Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil

Resumo

Este trabalho visa realizar um estudo sistemático da geometria e características da estrutura eletrônica de aglomerados moleculares de Silício e de Silício- Germânio. Em particular, investigaremos aglomerados Sin (21 ? n ? 30), Si33, Si39 e Si45. Estudaremos ainda aglomerados com estrutura de gaiola (cage-like) envolvendo um átomo de Germânio encapsulado em uma gaiola de Silício. Acreditamos que este estudo sistemático possa esclarecer pontos polêmicos como a natureza da transição estrutural experimentalmente verificada para aglomerados de Silício em tomo de 20 átomos. Queremos, ainda, interpretar a natureza da alta estabilidade apresentada pelos aglomerados de Si33, Si39 e Si45, e finalmente contribuir para a investigação de aglomerados de SiGe. Estes estudos dependem do emprego de técnicas de otimização global e da determinação da energia total dos aglomerados. Para tanto, as geometrias serão otimizadas pelo NAGA (Neural Assisted Genetic Algorithm) recentemente, introduzido por nosso grupo de pesquisa. As energias serão calculadas através do método semi-empírico Tight-Binding. Após a determinação das geometrias, um estudo de estrutura eletrônica baseado na Teoria do Funcional de Densidade será realizada. Haverá também uma parte técnica computacional onde elementos de teoria quântica serão introduzidos no método do algoritmo genético para otimização global. (AU)

Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
MARIM, Luiz Roberto. Estabilidade e propriedades eletrônicas de aglomerados de silício e silício-germânio. 2006. 165 f. Tese de Doutorado - Brasil. Ministério da Defesa. Comando-Geral de Tecnologia Aeroespacial (CTA). Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA) São José dos Campos.

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