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Estudo e desenvolvimento de filmes finos de silício microcristalino, depositados por LPVCD, aplicados na passivação de dispositivos de potência

Processo: 98/01202-4
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Mestrado
Vigência (Início): 01 de junho de 1998
Vigência (Término): 30 de abril de 2000
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Nilton Itiro Morimoto
Beneficiário:Eduardo dos Santos Ferreira
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil

Resumo

Este trabalho tem como objetivo fundamental o estudo e o desenvolvimento de filmes finos de silício micro-cristalino, depositados por LPCVD, para serem aplicados em dispositivos de potência. O processo LPCVD de deposição de silício será estudado para se obter um filme de silício micro-cristalino com características convenientes para ser utilizado como camada de passivação em dispositivos de potência. (AU)