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Modelamento teórico de propriedades eletrônicas e estruturais de ligas semicondutoras

Processo: 01/02646-8
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Apoio a Jovens Pesquisadores
Vigência (Início): 01 de abril de 2001
Vigência (Término): 30 de novembro de 2001
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Joao Francisco Justo Filho
Beneficiário:Joao Francisco Justo Filho
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:00/11438-7 - Modelamento teórico de propriedades eletrônicas e estruturais de ligas semicondutoras, AP.JP
Assunto(s):Materiais amorfos   Semicondutores   Métodos ab initio   Silício   Estrutura eletrônica

Resumo

Este projeto tem por objetivo criar um núcleo de estudos teóricos de materiais semicondutores no grupo de Novos Materiais do Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos da EPUSP. Utilizando o estado da arte em simulações computacionais, seja através de métodos de primeiros princípios ou potenciais empíricos, iremos investigar propriedades eletrônicas e estruturais de materiais semicondutores (nas fases cristalina, poli-cristalina ou amorfa) que são geralmente utilizados na fabricação de dispositivos opto-eletrônicos. Pretendemos investigar as propriedades microscópicas relacionadas com o ordenamento químico, transições óticas e a segregação de defeitos em diversos materiais semicondutores, como o silício amorfo hidrogenado, o nitreto de silício amorfo, o carbeto de silício e o nitreto de boro. (AU)