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Estudo microscópico das propriedades estruturais e eletrônicas de impurezas dopantes em semicondutores amorfos

Processo: 99/00698-9
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de maio de 1999
Vigência (Término): 30 de abril de 2003
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Alex Antonelli
Beneficiário:Caetano Rodrigues Miranda
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Dopagem eletrônica   Semicondutores   Materiais amorfos   Método de Monte Carlo

Resumo

Estudo sistemático da dopagem substitucional de impurezas do grupo III (B,Al,Ga,In) em semicondutores amorfos hidrogenados (A-Ge.H e A-Si:H) utilizando uma combinação do método monte-carlo através da técnica "simulated annealing" para gerar estruturas amorfas com o método da dinâmica molecular "ab-initio" para determinar as propriedades estruturais e eletrônicas das impurezas dopantes. (AU)

Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
MIRANDA, Caetano Rodrigues. Da ordem à desordem: uma visao da ciência dos materiais computacional. 2003. Tese de Doutorado - Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Fisica Gleb Wataghin.

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