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Caracterização eletro-ótica de filmes finos de SnO2 dopados com Er e/ou Yb

Processo: 00/05100-3
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Mestrado
Vigência (Início): 01 de julho de 2000
Vigência (Término): 30 de junho de 2002
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Luis Vicente de Andrade Scalvi
Beneficiário:Evandro Augusto de Morais
Instituição-sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Filmes finos   Dióxido de estanho   Óxidos semicondutores   Processo sol-gel   Terras raras

Resumo

Investigação de fenômenos eletro-óticos no semicondutor óxido SnO2 depositado na forma de filmes finos pela técnica de dip-coating via sol-gel, dopados com terras-raras, particularmente Er e Yb. O principal objetivo é estudar as transições do íon terra-rara numa matriz de alta transparência e boa condutividade elétrica, que é o dióxido de estanho. Deverão ser depositados filmes com - diversas concentrações de dopante e, realizados experimentos de fotocondutividade, fotoluminescência e absorção ótica em função da temperatura. Os filmes depositados também serão analisados pelas técnicas de reflexão especular de raios-X e difração de raios-X. A influência da pressão parcial de oxigênio também deverá ser levada em conta na interpretação dos dados obtidos. (AU)

Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
MORAIS, Evandro Augusto de. "Incorporação de Er em SnO2 obtido via sol-gel: uma análise de xerogéis e filmes finos". 2002. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física de São Carlos São Carlos.

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