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Estudo de superfícies e interfaces de semicondutores amorfos: c-Si, c-Ge e a-Si/a-Ge

Processo: 99/00217-0
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de junho de 1999
Vigência (Término): 01 de agosto de 2000
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Antonio José Roque da Silva
Beneficiário:Marcilei Aparecida Guazzelli
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil

Resumo

O projeto visa estudar teoricamente superfícies e interfaces de semicondutores amorfos, em partículas c-Si/a-Si, c-Ge/a-Ge e a-Si/a-Ge (hidrogenados e não hidrogenados). O problema será abordado em duas etapas, sendo que cada uma irá introduzir a aluna à técnicas de análise teórica importantes para sua formação. Na primeira etapa o sistema será descrito utilizando-se técnicas de simulação computacional (Monte Cario ou dinâmica molecular) com o intuito de gerar configurações atômicas para cálculos de estrutura eletrônica posteriores, e/ou análise de propriedades do sistema como "stress", defeitos topológicos, etc. Nessa primeira fase potenciais empíricos serão utilizados. Na segunda fase cálculos de estrutura eletrônica serão feitos para as configurações geradas através das simulações computacionais descritas acima. Métodos ab initio, baseados na teoria do funcional densidade (DFT) e/ou métodos semi-empírico (tight-binding) serão utilizados. (AU)

Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
GUAZZELLI, Marcilei Aparecida. \'58 ANTPOT. Co\': estudo de um núcleo ímpar-ímpar na camada pf. 2004. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física São Paulo.

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