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Vizinhança química de Er em a-Si:H

Processo: 98/00468-0
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Mestrado
Vigência (Início): 01 de abril de 1998
Vigência (Término): 31 de março de 2000
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Leandro Russovski Tessler
Beneficiário:Cínthia Piamonteze
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Érbio   Fotônica   Radiação síncrotron

Resumo

O projeto tem por objetivo estudar a vizinhança química do érbio em a-Si:H e a-Si:O:H através de medidas de EXAFS. Para isso serão preparadas amostras por sputtering reativo a partir de um alvo de silício parcialmente coberto com érbio. Uma vez conhecida a vizinhança química em função da concentração de érbio e de oxigênio buscaremos correlações entre química local e fotoluminescência no material. (AU)