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Investigação da estrutura eletrônica de um gás bidimensional de elétrons confinado nas proximidades de pontos quânticos, utilizando medidas do efeito Shubnikov-de Haas, do efeito Hall e de fotoluminescência

Processo: 01/11310-3
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Mestrado
Vigência (Início): 01 de março de 2002
Vigência (Término): 29 de fevereiro de 2004
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Euzi Conceição Fernandes da Silva
Beneficiário:Ivan Ramos Pagnossin
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo, SP, Brasil
Assunto(s):Efeito Hall   Fotoluminescência   Pontos quânticos

Resumo

Estamos interessados em obter informações sobre a estrutura eletrônica de um gás de elétrons bidimensional (2DEG) confinado em um poço quântico, que tem em uma de suas barreiras uma camada de pontos quânticos e na outra barreira uma camada de íons dopantes (oriundos da dopagem planar). Realizaremos medidas de Shubnikov-de Haas para determinar a ocupação das sub-bandas do 2DEG e as suas respectivas mobilidades quânticas. As investigações sobre as propriedades destas heteroestruturas serão complementadas com espectroscopia óptica (fotoluminescêcnia) e também com medidas de efeito Hall (que fornece a concentração média de portadores no sistema e também a mobilidade de transporte média dos portadores detectados na medida de efeito Hall). (AU)

Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
IVAN RAMOS PAGNOSSIN. "Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs". 2004. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física São Paulo.

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