Espectrometria de raios-X com diodos de Si

• Processo: 97/12485-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 1998
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2000
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física Nuclear
• Pesquisador responsável: Carmen Cecília Bueno
• Beneficiário: Rodrigo Rodrigues de Magalhães
• Instituição Sede: Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN). Secretaria de Desenvolvimento Econômico (São Paulo - Estado). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Espectrometria de raios X
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Detectores Semicondutores | Espectrometria De Raios-X | Fotodiodos De Si

Resumo

O presente projeto de pesquisa contempla o desenvolvimento de um sistema para a espectrometria de radiação eletromagnética de baixa energia, baseado no emprego de fotodiodos comerciais de Si, de baixo custo, como detectores destas radiações. Para otimizar as condições de resposta destes fotodiodos na espectrometria de alta resolução de raios-X, também será desenvolvido um sistema de resfriamento, tanto do fotodiodo como do primeiro estágio de amplificação (FET) do pré-amplificador, mediante o uso de células Peltier. Com isto deverá ser possível dotar nosso laboratório de um sistema de espectrometria de radiações eletromagnéticas, em uma faixa de energia em que predomina o uso de detectores de Si(Li) - que além de caros, exigem uma temperatura permanente de 77K para o seu funcionamento. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

MAGALHÃES, Rodrigo Rodrigues de. Espectrometria de raios-x com diodos de Si. 2000. Dissertação de Mestrado - Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN/CNEN) São Paulo.