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Fabricação de novas heteroestruturas a partir de estruturas SOI obtidas pela técnica Smart Cut

Processo: 01/09404-0
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de março de 2002
Vigência (Término): 29 de fevereiro de 2004
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Ines Pereyra
Beneficiário:Neisy Amparo Escobar Forhan
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:00/10027-3 - Produção, caracterização e aplicações de ligas semicondutoras e isolantes, AP.TEM
Assunto(s):Heteroestruturas   Implantação iônica   Carbeto de silício   Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD)   Técnica Smart cut

Resumo

Este projeto de pesquisa propõe o estudo e desenvolvimento de novas heteroestruturas semicondutoras, tomando como base as estruturas SOI ("Silicon-On-Insulator") obtidas pela técnica "Smart-Cut", que viemos pesquisando nestes últimos anos. Entre os objetivos deste trabalho encontra-se o estabelecimento de novos esquemas de implantação iônica que permitam a redução das doses de implantação necessárias para a formação de cavidades enterradas, assim como a coalescência das cavidades enterradas a temperaturas mais baixas nos processos "Smart-Cut". O trabalho inclui, também, diferentes métodos para a obtenção de novas heteroestruturas, basicamente obtidas pela combinação das técnicas para obter estruturas SOI e carbeto de silício (SiC). O método usado para a formação do SiC dependerá das características desejadas para o filme, que estarão relacionadas com a aplicação à qual estará destinado. Por tanto, usaremos três métodos que terão como resultado SiC com características específicas diferentes: crescimento de filmes finos de SiC pelo método de deposição PECVD, seguido de etapas de cristalização; implantação de íons de carbono na camada superior de Si da estrutura SOI para sua transformação em SiC e conversão direta do Si da camada superior da estrutura SOI em SiC como resultado da carbonização do Si usando exposição a ambiente de hidrocarbonetos. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
NEISY A. E. FORHAN; MÁRCIA C. A. FANTINI; INÉS PEREYRA. Characterization of Si1-xCx:H thin films deposited by PECVD for SiCOI heterojuntion fabrication. Journal of the Brazilian Chemical Society, v. 17, n. 6, p. 1158-1162, Out. 2006.

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