Simulações computacionais de sistemas eletrônicos em geometrias confinadas

• Processo: 02/13465-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 2003
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2007
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: José Pedro Rino
• Beneficiário: Patricia Cristina Venturini
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 00/07691-9 - Sistemas eletrônicos confinados em nanoestruturas, AP.TEM
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Atomos Artificiais | Correlacoes Dinamicas | Dinamica Molecular | Eletrons Confinados | Gas De Eletrons

Resumo

Pretendemos utilizar a dinâmica molecular para determinar as propriedades estruturais e dinâmicas de sistemas eletrônicos com diferentes tipos de confinamento. Em particular estamos interessados em obter o fator de estrutura dinâmico, Si(q,w), o qual é extremamente importante no cálculo das propriedades de transporte utilizando o formalismo da função memória. Para um confinamento em uma direção, temos um sistema bi dimensional de elétrons em filmes de hélio, para um confinamento em duas direções, estudaremos canais quase-uni-dimensionais de elétrons onde o confinamento lateral é descrito por potenciais tipo "parede dura". E finalmente, ao confinarmos as três direções temos os chamados elétrons em "dimensão zero", os chamados quantum dots. Estes quantum dots têm uma estrutura similar a dos átomos com interessantes propriedades óticas. (AU)