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Propriedades eletrônicas e estruturais de óxido e oxi-nitreto de silício amorfo hidrogenado

Processo: 98/09806-6
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de setembro de 1998
Vigência (Término): 31 de agosto de 2002
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Marcia Carvalho de Abreu Fantini
Beneficiário:Wanderlã Luis Scopel
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil

Resumo

O objetivo deste projeto e combinar métodos experimentais e teóricos para o estudo de oxido e oxi-nitreto de silício amorfo hidrogenado. O material será depositado por plasma de rádio-freqüência a partir de misturas gasosas de SiH4 e N2O, na forma de filme fino. As caracterizações experimentais envolverão absorção de raios X e ultra-violeta, espalhamento de raios X a baixo ângulo, RBS e FTIR. A simulação teórica das propriedades estruturais e eletrônicas será feita pelo método de Monte-Carlo e os cálculos ab-initio utilizarão a dinâmica molecular de Car e Parrinello. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
SCOPEL‚ WL; FANTINI‚ MCA; ALAYO‚ MI; PEREYRA‚ I. Structural investigation of Si-rich amorphous silicon oxynitride films. Thin Solid Films, v. 425, n. 1, p. 275-281, 2003.
W.L. SCOPEL; M.C.A. FANTINI; M.I. ALAYO; I. PEREYRA. Local order structure of a-SiOxNy:H grown by PECVD. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2a, p. 366-368, Jun. 2002.
SCOPEL‚ WL; FANTINI‚ MCA; ALAYO‚ MI; PEREYRA‚ I. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films. Thin Solid Films, v. 413, n. 1, p. 59-64, 2002.
Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
SCOPEL, Wanderlã Luis. Estudo das propriedades químicas, morfológicas e estruturais de oxinitreto de silício depositado por PECVD. 2002. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física São Paulo.

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