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Estudo e producao de filmes de oxinitreto de silicio (sioxny) pela tecnica de pecvd.

Processo: 01/07289-9
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Mestrado
Vigência (Início): 01 de setembro de 2001
Vigência (Término): 31 de março de 2003
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Ines Pereyra
Beneficiário:Denise Criado Pereira de Souza
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:00/10027-3 - Produção, caracterização e aplicações de ligas semicondutoras e isolantes, AP.TEM
Assunto(s):Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD)   Índice de refração

Resumo

O objetivo deste projeto é estudar a obtenção e propriedades físicas de ligas amorfas de SiOxNy crescidas por PECVD e ricas em nitrogênio. A proposta é dar continuidade a trabalhos prévios que demonstraram a viabilidade de controlar a composição e as propriedades estruturais e ópticas de filmes finos deste material. Nesses trabalhos foi estudado o extremo de pequenas concentrações de nitrogênio (y<0,5), onde o material tem propriedades próximas às do Si02. Neste projeto nosso objetivo é estudar o extremo de altas concentrações de nitrogênio e baixa incorporação de oxigênio, onde os materiais terão propriedades próximas às do nitreto de silício. Para isso, estudaremos o efeito de incluir a amônia entre os gases precursores e estudaremos a correlação entre os diversos parâmetros de deposição (particularmente a relação entre os fluxos dos gases) e as propriedades físicas do material, o que envolverá principalmente análises da estrutura (por espectroscopia de infravermelho), composição química e medidas de elipsometria para determinação do índice de refração das amostras. (AU)

Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
SOUZA, Denise Criado Pereira de. Estudo e produção de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) pela técnica de PECVD.. 2003. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica São Paulo.

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