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Propriedades opticas e de transporte de pontos quanticos auto-organizados em ligas semicondutoras de "ingan".

Processo: 00/10562-6
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de dezembro de 2000
Vigência (Término): 30 de setembro de 2004
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Luísa Maria Ribeiro Scolfaro
Beneficiário:David Gregorio Pacheco Salazar
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V, AP.TEM
Assunto(s):Nitretos   Pontos quânticos   Estrutura eletrônica

Resumo

O presente projeto visa estudar as propriedades ópticas de heteroestruturas de GaN/InGaN com objetivo de entender e melhorar os processos de emissão nos modernos LEDs e Lasers operando na região do verde-azul-UV do espectro. Serão utilizadas amostras crescidas por MBE (já disponíveis) e as técnicas de PL, Raman e transporte para este estudo. O projeto contará com o apoio do grupo teórico para o cálculo das estruturas eletrônicas dos sistemas estudados. (AU)

Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
SALAZAR, David Gregorio Pacheco. Crescimento e caracterização de GaN dopado com carbono e de ligas de InGaN não dopadas na fase cúbica. 2004. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física São Paulo.

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