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Crescimento por mbe, caracterizacao e otimizacao de camadas dopadas do tipo "p" para a fabricacao de dispositivos optoeletronicos.

Processo: 99/10510-7
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de abril de 2000
Vigência (Término): 31 de janeiro de 2004
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Alain André Quivy
Beneficiário:Tomás Erikson Lamas
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Silício   Laser   Carbono

Resumo

Neste projeto, pretendemos estudar o crescimento epitaxial por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p pertencentes à família III-V. Novas técnicas de dopagem serão abordadas, tais como a utilização de células de carbono sólido, o uso do silício com substratos de GaAs(311)A, e ainda uma técnica de epitaxia alternada possibilitando o emprego do sílicio sobre sibstratos de GaAs(001). As amostras crescidas serão caracterizadas por RHEED, fotoluminescência, microscopia de tunelamento e de força atômica, assim como raio x para determinar o melhor método de dopagem. Finalmente, alguns dispositivos optoeletrônicos serão crescidos e testados para conferir as reais possibilidades de aplicação destas camadas dopadas do tipo p. (AU)

Publicações científicas (6)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
LAMAS‚ T. E.; QUIVY‚ A. A.; MARTINI‚ S.; SILVA‚ M. J.; LEITE‚ J. R. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1/2, p. 25-30, Mar. 2005.
MARTINI, S.; QUIVY, A. A.; SILVA, M. J. DA; LAMAS, T. E.; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.; ABRAMOF, E. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics, v. 94, n. 11, p. 7050-7052, Dec. 2003.
MARTINI, S.; QUIVY, A. A.; LAMAS, T. E.; SILVA, M. J. DA; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R. Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface. Journal of Crystal Growth, v. 251, n. 1/4, p. 101-105, Apr. 2003.
SILVA, M. J. DA; QUIVY, A. A.; MARTINI, S.; LAMAS, T. E.; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R. Optical response at 1.3 mu m and 1.5 mu m with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix. Journal of Crystal Growth, v. 251, n. 1/4, p. 181-185, Apr. 2003.
LAMAS‚ TE; MARTINI‚ S.; DA SILVA‚ MJ; QUIVY‚ AA; LEITE‚ JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs (001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5, p. 701-703, 2003.
LAMAS, T. E.; QUIVY, A. A. On the Morphology of Films Grown by Droplet-Assisted Molecular Beam Epitaxy. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 399-401, June 2002.
Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
LAMAS, Tomás Erikson. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos. 2004. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física São Paulo.

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