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Modelagem teórica de estados ionizados em sistemas complexos de silício

Processo: 00/14787-2
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de junho de 2001
Vigência (Término): 31 de maio de 2004
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Marilia Junqueira Caldas
Beneficiário:Henady Malarenko Junior
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores   Métodos ab initio   Silício

Resumo

Defeitos extensos, e mais especificamente discordâncias, em semicondutores têm despertado grande interesse nos últimos anos devido aos efeitos que estes causam nas propriedades dos materiais. O principal objetivo deste trabalho é entender as propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos extensos em semicondutores. Iremos fazer uma investigação teórica das propriedades de segregação de defeitos pontuais (principalmente oxigênio e hidrogênio) em discordâncias de silício e até mesmo em outros semicondutores. O estudante terá a oportunidade de usar o estado-da-arte em modelamento teórico (a nível atômico), usando métodos ab initio, métodos semi-empíricos e potenciais interatômicos. Este trabalho envolverá o desenvolvimento e o uso de novos métodos computacionais, como a parametrização de potenciais empíricos e a implementação desses modelos em códigos computacionais de dinâmica molecular. (AU)