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Fotoluminescencia em pocos quanticos de gan/ingan/gan.

Processo: 00/03942-7
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Mestrado
Vigência (Início): 01 de julho de 2000
Vigência (Término): 31 de março de 2002
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:José Roberto Leite
Beneficiário:Angela María Ortiz de Zevallos Márquez
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V, AP.TEM
Assunto(s):Nitretos   Heteroestruturas   Pontos quânticos   Fotoluminescência   Poços quânticos

Resumo

Serão efetuadas experiências de fotoluminescência e fotoluminescência de excitação em poços quânticos de GaN/InGaN/GaN crescidos por MBE na estrutura cúbica em substratos de GaAs(100). O objetivo é estudar os diferentes mecanismos de emissão radiativa nestas estruturas, particularmente aqueles que são responsáveis pela emissão no verde-azul-UV do espectro, observada nos LEDs e Lasers construídos com este material. Serão estudados uma amostra de GaAs/GaN como referência e quatro poços quânticos com larguras da camada InGaN (poço) variadas (3nm-30nm). (AU)