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Solda eletrônica vidro-semicondutor e semicondutor-semicondutor por camada intermediária de vidro

Processo: 97/03863-5
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Mestrado
Vigência (Início): 01 de setembro de 1997
Vigência (Término): 31 de dezembro de 1999
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:José Roberto Sbragia Senna
Beneficiário:Adriano Nicola Rios
Instituição-sede: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Ministério da Ciência, Tecnologia, Inovações e Comunicações (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
Assunto(s):Filmes finos

Resumo

Será feita e caracterizada a solda eletrostática entre laminas de vidro e de silício. Serão depositadas camadas de sílica, vidros corning 7740 e 7570 por "electron-beam", "flash evaporation" e "laser ablation". Os métodos de deposição serão comparados e as camadas depositadas serão caracterizadas quimicamente e por espectroscopia. As camadas de vidro depositado serão usadas para solda eletrostática Si-Si. As soldas serão caracterizadas mecanicamente e eletricamente. (AU)