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Estudo e otimizacao de filmes de oxinitreto de silicio (sioxny) obtidos pela tecnica de pecvd.

Processo: 03/04523-6
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de setembro de 2003
Vigência (Término): 31 de julho de 2007
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Ines Pereyra
Beneficiário:Denise Criado Pereira de Souza
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:00/10027-3 - Produção, caracterização e aplicações de ligas semicondutoras e isolantes, AP.TEM
Assunto(s):Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD)   Propriedades estruturais

Resumo

O objetivo deste trabalho é produzir, caracterizar e otimizar ligas amorfas de SiOxNy obtidas por PECVD com diferente composição química e correlacionar suas propriedades estruturais, ópticas e morfológicas com as condições de deposição. A proposta é dar continuidade a trabalhos prévios desenvolvidos no mestrado que demonstraram a viabilidade de controlar a composição química e propriedades como o índice de refração e a constante dielétrica, procurando agora aprofundar nosso conhecimento deste material correlacionando suas as propriedades com as condições de deposição, visando sua otimização para aplicação em dispositivos ópticos e microestruturas. Assim, neste trabalho daremos ênfase às propriedades morfológicas e estruturais, analisando misturas gasosas e condições de deposição ainda não estudados. (AU)

Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
SOUZA, Denise Criado Pereira de. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD.. 2007. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica São Paulo.

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