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Estudo de complexos excitônicos em pontos quânticos tipo-II

Processo: 03/13133-7
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de junho de 2004
Vigência (Término): 30 de novembro de 2008
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Fernando Iikawa
Beneficiário:Paulo Freitas Gomes
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores   Materiais nanoestruturados   Pontos quânticos   Propriedades ópticas   Fosfeto de índio   Arsenieto de gálio

Resumo

Neste projeto, pretendemos investigar propriedades de éxcitons carregados, negativamente e positivamente, e multi-éxcitons em pontos quânticos auto-organizados tipo-II de InP/GaAs. A investigação será feita por medidas ópticas de pontos quânticos individuais utilizando a técnica de micro-fotoluminescência no regime contínuo e resolvido no tempo. O estudo de emissão óptica dos complexos formado por éxcitons em pontos quânticos tipo-II individuais é inédito e será importante, não só na compreensão de efeitos de muitos portadores em nanoestruturas de semicondutores, como também, em aplicações em dispositivos opto-eletrônicos e computação quântica. O plano de trabalho será focado em estudar as propriedades ópticas em um sistema onde a interação Colombiana efetiva é influenciada pela separação espacial entre elétrons e buracos devido ao alinhamento das bandas do tipo-II nas interfaces de InP e GaAs. Serão estudados também essas propriedades na presença do campo magnético e elétrico externo. (AU)

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Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
GOMES, Paulo Freitas. Propriedades ópticas de pontos quânticos semicondutores tipo II. 2009. Tese de Doutorado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Fisica Gleb Wataghin.

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