Busca avançada
Ano de início
Entree

Estudo da degradação em varistores a base de SnO2

Processo: 04/01640-4
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de agosto de 2004
Vigência (Término): 31 de julho de 2007
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:José Arana Varela
Beneficiário:Miguel Ángel Ramírez Gil
Instituição-sede: Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:98/14324-0 - Multidisciplinary Center for Development of Ceramic Materials, AP.CEPID
Assunto(s):Propriedades elétricas   Degradação   Caracterização estrutural   Processamento de materiais cerâmicos

Resumo

Os varistores de SnO2 possuem certas vantagens em relação aos de ZnO como uma microestrutura mais simples e resistência à degradação. Porém, uma pesquisa detalhada de como a degradação a altas tensões, afeta as características microestruturais e as propriedades elétricas dos varistores de SnO2 não foi ainda investigada na literatura. Desta forma, pretende-se estabelecer uma metodologia para avaliar a degradação de sistemas à base de SnO2 permitindo comparar do ponto de vista tecnológico a competitividade comercial dos varistores de SnO2 com os de ZnO. O estudo da degradação será realizado pela adição de pulsos de corrente de alta tensão monitorando-a por meio de medidas elétricas e microestruturais. O sistema a ser estudado é CoOTa2O5.(Cr2O3)x.(La2O3)y, preparado pelo método de mistura de óxidos e avaliando o efeito da atmosfera (oxigênio, ar sintético e argônio) de sinterização nas propriedades elétricas e microestruturais. Os varistores obtidos serão caracterizados elétrica e morfologicamente antes e depois da degradação pelas técnicas DRX, MEV/EDS, MFA, MET. Por espectroscopia de impedância a diferentes temperaturas serão determinados os parâmetros (altura, largura da barreira, resistência do contorno de grão, densidade de portadores de carga livre e de estados superficiais) e por meio de medidas dc (construção das curvas J x E e determinação dos parâmetros coeficiente de não linearidade, campo de ruptura, corrente de fuga e voltagem por barreira. (AU)

Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
GIL, Miguel Ángel Ramírez. Análise dos mecanismos de degradação em varistores à base de ZnO e de Sn'O IND.2'. 2007. 200 f. Tese de Doutorado - Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" Faculdade de Ciências. Araraquara.

Por favor, reporte erros na lista de publicações científicas escrevendo para: cdi@fapesp.br.