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Decoerência em pontos quânticos

Processo: 04/02814-6
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Doutorado
Vigência (Início): 01 de setembro de 2004
Vigência (Término): 31 de agosto de 2007
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Convênio/Acordo: DAAD
Pesquisador responsável:Gilberto Medeiros-Ribeiro
Beneficiário:Felix Guillermo Gonzalez Hernandez
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas, SP, Brasil
Assunto(s):Decoerência quântica   Espectroscopia   Semicondutores

Resumo

Pretende-se com este trabalho um entendimento dos fenômenos de defasagem em nanoestruturas semicondutoras epitaxiais, mais especificamente self-assembled quantum dots (SAQDs), ou pontos quânticos auto-organizados de InAs:GaAs e InP:GaAs. O sistema a ser estudado envolve dois aspectos de grande interesse: a) estudo da decoerência devida à defasagem, obstáculo fundamental para a implementação de computação quântica. b) entendimento das propriedades do spin eletrônico de sistemas OD, mediante a aplicação de um campo magnético e a excitação com luz circularmente polarizada. Pretende-se caracterizar o sistema de éxcitons carregados em InAs:GaAs e os fenômenos de defasagem em InP:GaAs (heteroestruturas tipo II que apresentam o efeito Aharanov-Bohm). (AU)