Texto completo
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| Autor(es): |
Ivan Ramos Pagnossin
Número total de Autores: 1
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| Tipo de documento: | Tese de Doutorado |
| Imprenta: | São Paulo. |
| Instituição: | Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física |
| Data de defesa: | 15-02-2008 |
| Membros da banca: |
Euzi Conceicao Fernandes da Silva;
Lucy Vitoria Credidio Assali;
Fernando Iikawa;
Eliermes Arraes Meneses;
Antonio Carlos Seabra
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| Orientador: | Guennadii Mikhailovitch Goussev |
| Resumo | |
Apresentamos neste trabalho algumas propriedades do transporte de cargas de heteroestruturas contendo pontos-quânticos. Três tópicos foram explorados: no primeiro, observamos um comportamento anômalo nos platôs do efeito Hall quântico, que atribuímos à existência de estados de borda contra-rotativos; no segundo, determinamos o tempo de decoerência do sistema bidimensional de elétrons em função do estágio evolutivo de pontos-quânticos de InAs autoformados nas suas proximidades. Concluímos que a tensão mecânica acumulada durante o crescimento epitaxial \"congela\" os elétrons, reduzindo a taxa de decoerência; finalmente, testamos algumas das possíveis configurações de heteroestruturas visando a construção de fotodetectores baseados em pontos-quânticos. Observamos que a repetição da região-ativa pode ser utilizada como um parâmetro no controle das mobilidades quânticas e, por conseguinte, das propriedades de operação desses detectores. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 03/12109-5 - Caracterizacao de heteroestruturas semicondutoras utilizadas na fabricacao de fotodetectores operando na faixa de micrometros. |
| Beneficiário: | Ivan Ramos Pagnossin |
| Linha de fomento: | Bolsas no Brasil - Doutorado |