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Tomás Erikson Lamas

CV Lattes


Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF)  (Instituição-sede da última proposta de pesquisa)
País de origem: Brasil

Tomás Erikson Lamas em auxílios à pesquisa e bolsas apoiadas pela FAPESP.

Bolsas no país
Apoio FAPESP em números * Quantidades atualizadas em 16/01/2021
3 Bolsas no país concluídas

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Palavras-chave utilizadas pelo pesquisador
Publicações resultantes de Auxílios e Bolsas sob responsabilidade do(a) pesquisador(a) (7)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

PublicaçõesNone
CitaçõesNone
Cit./ArtigoNone
Dados do Web of Science

T. E. LAMAS; A. A. QUIVY. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2a, p. 405-407, . (02/10185-3, 03/09398-5, 98/12779-0)

LAMAS‚ T. E.; QUIVY‚ A. A.; MARTINI‚ S.; SILVA‚ M. J.; LEITE‚ J. R.. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1/2, p. 25-30, . (99/08979-7, 98/12779-0, 02/10185-3, 95/05651-0, 99/10510-7, 01/14106-8)

LAMAS‚ TE; MARTINI‚ S.; DA SILVA‚ MJ; QUIVY‚ AA; LEITE‚ JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs (001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5, p. 701-703, . (98/12779-0, 01/14106-8, 99/10510-7, 99/08979-7, 95/05651-0)

LAMAS, T. E.; QUIVY, A. A.. On the Morphology of Films Grown by Droplet-Assisted Molecular Beam Epitaxy. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 399-401, . (95/05651-0, 98/14489-0, 99/10510-7, 99/01225-7)

MARTINI, S.; QUIVY, A. A.; LAMAS, T. E.; SILVA, M. J. DA; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.. Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface. Journal of Crystal Growth, v. 251, n. 1/4, p. 101-105, . (99/08979-7, 99/10510-7, 01/14106-8)

SILVA, M. J. DA; QUIVY, A. A.; MARTINI, S.; LAMAS, T. E.; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.. Optical response at 1.3 mu m and 1.5 mu m with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix. Journal of Crystal Growth, v. 251, n. 1/4, p. 181-185, . (99/08979-7, 99/10510-7, 01/14106-8)

MARTINI, S.; QUIVY, A. A.; SILVA, M. J. DA; LAMAS, T. E.; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.; ABRAMOF, E.. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics, v. 94, n. 11, p. 7050-7052, . (01/14106-8, 00/12529-6, 99/08979-7, 99/10510-7, 98/12779-0)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

LAMAS, Tomás Erikson. Espectroscopia a Nível Atômico Usando um Microscópio de Tunelamento (STM). Dissertação (Mestrado) -  Instituto de Física.  Universidade de São Paulo (USP).  São Paulo.  (97/08745-0

LAMAS, Tomás Erikson. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos. Tese (Doutorado) -  Instituto de Física.  Universidade de São Paulo (USP).  São Paulo.  (99/10510-7

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