CV Lattes
Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF) (Instituição-sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Tomás Erikson Lamas em auxílios à pesquisa e bolsas apoiadas pela FAPESP.
Este projeto tem como objetivo o crescimento por epitaxia por feixe molecular (MBE, molecular beam epitaxy) de camadas de pontos quânticos auto-organizados de InAs/GaAs para aplicação em dispositivos optoeletrônicos. A principal meta é obter estruturas de alta qualidade emitindo nos comprimentos de onda de interesse para a telecomunicação por fibras ópticas (1.3 e 1.55μm). A maior...
Neste projeto, pretendemos estudar o crescimento epitaxial por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p pertencentes à família III-V. Novas técnicas de dopagem serão abordadas, tais como a utilização de células de carbono sólido, o uso do silício com substratos de GaAs(311)A, e ainda uma técnica de epitaxia alternada possibilitando o emprego do sílicio sobre sibstratos de GaAs(001)...
Até agora, nosso novo microscópio de tunelamento só possuía as características de um aparelho topográfico com resolução atômica (a nível espacial). Neste projeto, pretendemos implementar algumas funções espectroscópicas (curva I-V, determinação da função de trabalho) para investigação a nível atômico, geremos assim à nossa disposição um aparelho único capaz de investigar a matéria a ní...
| 3 | Bolsas no país concluídas |
| Processos vinculados | |
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
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| Citações | None |
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| Dados do Web of Science | |
T. E. LAMAS; A. A. QUIVY. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2a, p. 405-407, Jun. 2006. (02/10185-3, 03/09398-5, 98/12779-0)
LAMAS‚ T. E.; QUIVY‚ A. A.; MARTINI‚ S.; SILVA‚ M. J.; LEITE‚ J. R.. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1/2, p. 25-30, Mar. 2005. (99/08979-7, 98/12779-0, 02/10185-3, 95/05651-0, 99/10510-7, 01/14106-8)
LAMAS‚ TE; MARTINI‚ S.; DA SILVA‚ MJ; QUIVY‚ AA; LEITE‚ JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs (001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5, p. 701-703, 2003. (98/12779-0, 01/14106-8, 99/10510-7, 99/08979-7, 95/05651-0)
LAMAS, T. E.; QUIVY, A. A.. On the Morphology of Films Grown by Droplet-Assisted Molecular Beam Epitaxy. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 399-401, June 2002. (95/05651-0, 98/14489-0, 99/10510-7, 99/01225-7)
MARTINI, S.; QUIVY, A. A.; LAMAS, T. E.; SILVA, M. J. DA; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.. Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface. Journal of Crystal Growth, v. 251, n. 1/4, p. 101-105, Apr. 2003. (99/08979-7, 99/10510-7, 01/14106-8)
SILVA, M. J. DA; QUIVY, A. A.; MARTINI, S.; LAMAS, T. E.; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.. Optical response at 1.3 mu m and 1.5 mu m with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix. Journal of Crystal Growth, v. 251, n. 1/4, p. 181-185, Apr. 2003. (99/08979-7, 99/10510-7, 01/14106-8)
MARTINI, S.; QUIVY, A. A.; SILVA, M. J. DA; LAMAS, T. E.; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.; ABRAMOF, E.. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics, v. 94, n. 11, p. 7050-7052, Dec. 2003. (01/14106-8, 00/12529-6, 99/08979-7, 99/10510-7, 98/12779-0)
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
LAMAS, Tomás Erikson. Espectroscopia a Nível Atômico Usando um Microscópio de Tunelamento (STM). Dissertação (Mestrado) - Instituto de Física. Universidade de São Paulo (USP). São Paulo. (97/08745-0)
LAMAS, Tomás Erikson. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos. Tese (Doutorado) - Instituto de Física. Universidade de São Paulo (USP). São Paulo. (99/10510-7)