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Arianne Soares Do Nascimento Pereira

CV Lattes


Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros (FEI). Centro Universitário da FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo  (Instituição-sede da última proposta de pesquisa)
País de origem: Brasil

Professora do Departamento de Engenharia Elétrica do Centro Universitário da FEI. Doutora em Engenharia Elétrica na área de Dispositivos Eletrônicos Integrados com estágio de seis meses na Université catholique de Louvain (UCL), Bélgica. Possui graduação (2009) e mestrado (2012) em Engenharia Elétrica pelo Centro Universitário da FEI, atuando principalmente nos seguintes temas: simulação, caracterização elétrica e modelagem de transistores MOS. Secretária do Ramo Estudantil do IEEE da FEI (2014-2016) e representante discente das comissões de Pós-Graduação (2014) e Bolsas de Estudos (2014-2015) do Centro Universitário da FEI. (Fonte: Currículo Lattes)

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Apoio FAPESP em números * Quantidades atualizadas em 22/02/2020
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Palavras-chave utilizadas pelo pesquisador
Publicações resultantes de Auxílios e Bolsas sob responsabilidade do(a) pesquisador(a) (2)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

Publicações2
Citações5
Cit./Artigo2,5
Dados do Web of Science

PEREIRA, A. S. N.; DE STEEL, G.; PLANES, N.; HAOND, M.; GIACOMINI, R.; FLANDRE, D.; KILCHYTSKA, V.. An in-depth analysis of temperature effect on DIBL in UTBB FD SOI MOSFETs based on experimental data, numerical simulations and analytical models. Solid-State Electronics, v. 128, n. SI, p. 67-71, . Citações Web of Science: 2. (14/11627-7)

PEREIRA, A. S. N.; GIACOMINI, R.. An accurate closed-expression model for FinFETs parasitic resistance. MICROELECTRONICS RELIABILITY, v. 55, n. 3-4, p. 470-480, . Citações Web of Science: 3. (12/12700-4)

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