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Renato Camargo Giacomini

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Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros (FEI). Centro Universitário da FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo  (Instituição-sede da última proposta de pesquisa)
País de origem: Brasil

Graduou-se em Engenharia Elétrica pela Escola Politécnica da USP em 1985. Fez mestrado e doutorado em Engenharia Elétrica na Universidade de São Paulo (1991, 1999). Trabalhou em projetos de automação metroferroviária (FDTE e Alstom) e de energia nuclear (Centro Tecnológico da Marinha em São Paulo). Foi diretor do Instituto de Pesquisas e Estudos Industriais IPEI/FEI (2005/07). Atualmente é professor titular do Centro Universitário da FEI, atuando em graduação e no Programa de Mestrado/Doutorado. Ocupa a chefia do Departamento de Engenharia Elétrica na FEI. Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em projeto de sistemas digitais de automação e controle. Tem trabalhado com materiais e componentes semicondutores, principalmente nos seguintes temas: mosfets, silicon on insulator, fotodetectores e sensores. www.fei.edu.br/~renato (Fonte: Currículo Lattes)

Auxílios à pesquisa
Bolsas no país
Bolsas no Exterior
Apoio FAPESP em números * Quantidades atualizadas em 15/02/2020
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Palavras-chave utilizadas pelo pesquisador
Publicações resultantes de Auxílios e Bolsas sob responsabilidade do(a) pesquisador(a) (2)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

Publicações2
Citações5
Cit./Artigo2,5
Dados do Web of Science

PEREIRA, A. S. N.; DE STEEL, G.; PLANES, N.; HAOND, M.; GIACOMINI, R.; FLANDRE, D.; KILCHYTSKA, V.. An in-depth analysis of temperature effect on DIBL in UTBB FD SOI MOSFETs based on experimental data, numerical simulations and analytical models. Solid-State Electronics, v. 128, n. SI, p. 67-71, . Citações Web of Science: 2. (14/11627-7)

PEREIRA, A. S. N.; GIACOMINI, R.. An accurate closed-expression model for FinFETs parasitic resistance. MICROELECTRONICS RELIABILITY, v. 55, n. 3-4, p. 470-480, . Citações Web of Science: 3. (12/12700-4)

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