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Gilberto Medeiros-Ribeiro
CV Lattes
Ministério da Ciência, Tecnologia, Inovações e Comunicações (Brasil). Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais (CNPEM). Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (LNLS) (Instituição-sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Possui graduação em Engenharia Elétrica pela Universidade Federal de Minas Gerais (1990), mestrado em Física pela Universidade Federal de Minas Gerais (1993) e doutorado em Física pela Universidade Federal de Minas Gerais (1996) com estágio sandwich em Engenharia de materiais na UC Santa Barbara. Trabalhou no Laboratorio Nacional de Luz Sincrotron, em Campinas, nos laboratorios da Hewlett-Packard em Palo Alto, California, e na CEITEC-S.A, Rio Grande do Sul. Atualmente é professor Titular do departamento de Ciência da Computação e diretor do Núcleo de Inovação Tecnológica da Universidade Federal de Minas Gerais. Tem experiência nas áreas de Física, Engenharias, em particular dispositivos para memórias não-voláteis, materiais, e instrumentação, tendo publicado 160 artigos com mais de 9100 citações, e 47 patentes concedidas no USPTO na área de dispositivos e sistemas de armazenamento de dados. Tem interesse nas areas de fisica da informacao, arquitetura de computadores, processamento neuromorfico, aprendizado de maquina. (Fonte: Currículo Lattes)
Auxílios à pesquisa
- Tuning nanocrystal properties for quantum information processing, AR.EXT
- Biblioteca do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron, AP.INFRA.LVR
Resumo
Biblioteca do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron. (AU)
- Materiais nanoestruturados investigados por microscopias de tunelamento e força atômica através de medidas de transporte, AP.JP
Resumo
O objetivo deste projeto é aprender a fazer estruturas pequenas e entender as propriedades eletrônicas destas através de medidas de transporte elétrico. O método a ser utilizado consiste em microscopia de varredura de provas (SPM). Esta técnica será utilizada para metrologia, manipulação delicada de nanoestruturas, espectroscopia de capacitância e espectroscopia de tunelamento. Este pr...
Bolsas no país
- Estudo da dinâmica de carregamento e medidas da energia de interação entre elétrons em estados distintos em pontos quânticos auto organizados de InAs, BP.PD
Resumo
O processo de carregamento de portadores de cargas em pontos quânticos e a estrutura os níveis eletrônicos e de buracos podem ser investigados através de espectroscopia de capacitância. Até o presente momento não possível mapear-se as interações eletrostáticas binárias entre elétrons em camadas distintas aprisionados no interior de um ponto quântico, uma vez que com a técnica de medida...
- Propriedades eletrônicas de pequenos conjuntos de nanoestruturas isoladas, BP.DR
Resumo
A construção de dispositivos quânticos calcada em sistemas de baixa dimensionalidade requer técnicas de fabricação sofisticadas, em geral envolvendo litografia por feixe de elétrons. Estruturas formadas por self-assembly, como pontos e fios quânticos, representam alternativas interessantes a estas técnicas. No entanto, para situações onde se procura trabalhar com um único eletron, fóto...
- Decoerência em pontos quânticos, BP.DR
Resumo
Pretende-se com este trabalho um entendimento dos fenômenos de defasagem em nanoestruturas semicondutoras epitaxiais, mais especificamente self-assembled quantum dots (SAQDs), ou pontos quânticos auto-organizados de InAs:GaAs e InP:GaAs. O sistema a ser estudado envolve dois aspectos de grande interesse: a) estudo da decoerência devida à defasagem, obstáculo fundamental para a implemen...
*Quantidades atualizadas em 18/05/2019
Capacitores
Ciências Exatas e da Terra
Crescimento epitaxial
Decoerência quântica
Difração de Raios X
Difração por raios X
Diodos
Espectroscopia
Estados eletrônicos
Fios quânticos
Física da Matéria Condensada
Física
Linhas de transmissão de energia elétrica
Materiais nanoestruturados
Microscopia de Tunelamento
Microscopia de força atômica
Microscopia eletrônica de varredura
Nanocristais
Nanoestruturas
Pontos Quânticos
Pontos quânticos
Propriedades de transporte
Propriedades eletrônicas
Propriedades ópticas
Semicondutores
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
| Publicações | 4 |
| Citações | 106 |
| Cit./Artigo | 26,5 |
| Dados do Web of Science | |
MALACHIAS‚ A.; KYCIA‚ S.; MEDEIROS-RIBEIRO‚ G.; MAGALHAES-PANIAGO‚ R.; KAMINS‚ TI; WILLIAMS‚ R.S.. 3D composition of epitaxial nanocrystals by anomalous x-ray diffraction: Observation of a Si-rich core in Ge domes on Si (100). Physical Review Letters, v. 91, n. 17, p. 176101, 2003. (98/14757-4)
MAGALHAES-PANIAGO‚ R.; MEDEIROS-RIBEIRO‚ G.; MALACHIAS‚ A.; KYCIA‚ S.; KAMINS‚ TI; WILLIAMS‚ R.S.. Direct evaluation of composition profile‚ strain relaxation‚ and elastic energy of Ge: Si (001) self-assembled islands by anomalous x-ray scattering. Physical Review B, v. 66, n. 24, p. 245312, 2002. (98/14757-4)
LEITE‚ M.S.; MALACHIAS‚ A.; KYCIA‚ SW; KAMINS‚ TI; WILLIAMS‚ R.S.; MEDEIROS-RIBEIRO‚ G.. Evolution of Thermodynamic Potentials in Closed and Open Nanocrystalline Systems: Ge-Si: Si (001) Islands. Physical Review Letters, v. 100, n. 22, p. 226101, 2008. (03/09374-9)
LEITE‚ MS; MEDEIROS-RIBEIRO‚ G.; KAMINS‚ TI; WILLIAMS‚ R.S.. Alloying mechanisms for epitaxial nanocrystals. Physical Review Letters, v. 98, n. 16, p. 165901, 2007. (03/09374-9)
LEITE‚ MS; GRAY‚ JL; HULL‚ R.; FLORO‚ JA; MAGALHAES-PANIAGO‚ R.; MEDEIROS-RIBEIRO‚ G.. X-ray diffraction mapping of strain fields and chemical composition of SiGe: Si (001) quantum dot molecules. Physical Review B, v. 73, n. 12, p. 121308, 2006. (03/09374-9)
HERNANDEZ‚ FGG; ALEGRE‚ T.P.M.; MEDEIROS-RIBEIRO‚ G.. Determination of spin polarization in InAs/ GaAs self-assembled quantum dots. Applied Physics Letters, v. 92, p. 132106, 2008. (04/02814-6, 04/01228-6)
HERNANDEZ‚ FGG; GREILICH‚ A.; BRITO‚ F.; WIEMANN‚ M.; YAKOVLEV‚ DR; REUTER‚ D.; WIECK‚ AD; BAYER‚ M.. Temperature-induced spin-coherence dissipation in quantum dots. Physical Review B, v. 78, n. 4, p. 041303, 2008. (04/02814-6)
LEITE, MARINA S.; KAMINS, THEODORE I.; WILLIAMS, R. STANLEY; MEDEIROS-RIBEIRO, GILBERTO. Intermixing during Ripening in Ge-Si Incoherent Epitaxial Nanocrystals. Journal of Physical Chemistry C, v. 116, n. 1, p. 901-907, JAN 12 2012. Citações Web of Science: 5. (03/09374-9)
SILES, PABLO F.; ARCHANJO, B. S.; BAPTISTA, D. L.; PIMENTEL, V. L.; YANG, J. JOSHUA; NEVES, B. R. A.; MEDEIROS-RIBEIRO, G.. Nanoscale lateral switchable rectifiers fabricated by local anodic oxidation. Journal of Applied Physics, v. 110, n. 2, JUL 15 2011. Citações Web of Science: 9. (05/04643-7)
CHENG, GUANGLEI; SILES, PABLO F.; BI, FENG; CEN, CHENG; BOGORIN, DANIELA F.; BARK, CHUNG WUNG; FOLKMAN, CHAD M.; PARK, JAE-WAN; EOM, CHANG-BEOM; MEDEIROS-RIBEIRO, GILBERTO; et al. Sketched oxide single-electron transistor. NATURE NANOTECHNOLOGY, v. 6, n. 6, p. 343-347, JUN 2011. Citações Web of Science: 81. (05/04643-7)
TORREZAN, A. C.; ALEGRE, T. P. MAYER; MEDEIROS-RIBEIRO, G.. Microstrip resonators for electron paramagnetic resonance experiments. Review of Scientific Instruments, v. 80, n. 7, JUL 2009. Citações Web of Science: 11. (04/01228-6)
MEDEIROS-RIBEIRO‚ G.; PINHEIRO‚ MVB; PIMENTEL‚ VL; MAREGA‚ E.. Spin splitting of the electron ground states of InAs quantum dots. Applied Physics Letters, v. 80, n. 22, p. 4229-4231, 2002. (98/14757-4)
MAYER ALEGRE‚ TP; TORREZAN‚ AC; MEDEIROS-RIBEIRO‚ G.. Microstrip resonator for microwaves with controllable polarization. Applied Physics Letters, v. 91, n. 20, p. 204103-204103, 2007. (04/01228-6)
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