Bolsista de Produtividade em Pesquisa do CNPq/PQ-Nível: 1C. Possui graduação em Engenharia Eletro-Eletrônica pela Faculdade de Ciências Exatas e Tecnologia da Fundação Vale Paraibana de Ensino (1991), mestrado em Física pelo Instituto Tecnológico de Aeronáutica (1994) e doutorado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo (1999). Atualmente é Professor Assistente Doutor-I no curso de Pós-Graduação em Engenharia de Materiais e Nanotecnologia da Universidade Presbiteriana Mackenzie, onde também ocupa o cargo de Diretor da Escola de Engenharia. Além disso, foi Coordenador de Programa de Pós-Graduação em Engenharia de Materiais e Nanotecnologia (09/2018 a 07/2020) e Coordenador de Pesquisa e TCC da Escola de Engenharia (11/2017 a 08/2018). No período de 1999 e 2012 atuou no Instituto Tecnológico de Aeronáutica, onde foi Coordenador da área de Física de Plasmas do curso de Pós-Graduação em Física (gestões 2004-2005 e 2010-2012), e também Coordenador do programa PIBIC (gestões 2004-2007 e 2009-2012). No ITA foi o responsável pela implantação do Laboratório de Processamento de Materiais Microeletrônicos por Plasma. Foi representante brasileiro junto à ?International Union for Vacuum Science,Technique and Applications? (gestão 2010-2013). Entre 2012 e 2016 foi Professor Visitante Nacional Sênior (bolsa PVNS-CAPES) da UNIFESP/SJC, onde coordenou a implantação do Laboratório de Equipamentos Multi-usuários (NAPCEM). Foi membro do Conselho da Sociedade Brasileira de Microeletrônica (gestão 2016-2017). Foi Diretor Financeiro da Sociedade Brasileira de Vácuo (gestão 2017-2019). Nas três Instituições (Mackenzie, ITA e UNIFESP) tem atuado fortemente nos cursos de Pós-Graduação, sendo autor/coautor de mais de 100 artigos científicos, orientador/coorientador de 21 dissertações de mestrado, 12 teses de doutorado, 6 supervisões de pós-doutorado, além de ter sido coordenador de diversos projetos de pesquisa e inovação tecnológica. Tem experiência nas áreas de Engenharia de Materiais (tratamento superficial de materiais metálicos e poliméricos por tecnologia de plasma), Microeletrônica (MEMS, células solares, sensores, processos de deposição e corrosão), Tecnologia de Plasmas (caracterização de plasmas, síntese e tratamento de materiais para uso na indústria automotiva, espacial, aeronáutica, da saúde e de energia), e Bioengenharia (desenvolvimento de novos materiais com propriedades biocompatíveis, bactericidas e bacteriostáticas). (Fonte: Currículo Lattes)
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O princípio de operação da célula solar sensibilizada por corante (DSSC) é baseado na injeção de elétrons das moléculas adsorvidas de corante para a banda de condução do TiO2 nanocristalino. Estes elétrons são transferidos para o circuito externo por meio deste óxido e o corante é regenerado pelo elétron proveniente do sistema redox do eletrólito (iodeto/tri-iodeto). Por sua vez, o iodeto…
A presente proposta trata da continuidade dos projetos financiados pela FAPESP nas FASES 1 e 2 do programa PIPE. Ao término da 1a FASE, com o projeto e construção de uma estufa laboratorial que opera de forma descontinuada, foi possível realizar prova de conceito do processo termo-oxidativo da fibra PAN, como contratipo da fibra PANOX importada. Os resultados embasaram técnica-cientificam…
Este trabalho contempla o desenvolvimento de sensores piezorresistivos baseados em filmes finos de DLC dopados com diferentes elementos, que possibilitem sua aplicação em ambientes agressivos. Os filmes serão depositados pela técnica de sputtering, com a qual será realizada uma sistemática análise da influência das variáveis de controle do reator de deposição sobre as propriedades dos fil…
O filme fino de dióxido de silício (SiO2) é utilizado na fabricação de circuitos integrados e capacitores MOS (Metal-Oxído-Semicondutor). Este material pode apresentar problemas como alta corrente de fuga, degradação do tempo de vida do dispositivo e difusão de dopantes quando utilizado como camada dielétrica muito fina, menor que 100 nm. Uma solução para esses problemas é a substituição …
A obtenção de óxidos de silício de boa qualidade é fundamental tanto para o processo de microfabricação de dispositivos semicondutores quanto para o bom desempenho desses dispositivos. O método mais empregado para o crescimento de filmes de SiO2 é o de oxidação térmica do silício, que será o tema de estudo deste projeto. Para isso, será utilizado um forno de oxidação em temperaturas entre…
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CV Lattes
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