CV Lattes
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Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF) (Instituição-sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Possui Bacharelado em Física (1986), Mestrado em Física do Estado Sólido (1986) e Doutorado em Física (1991) pela Université Libre de Bruxelles (ULB, Bélgica). É Professor do Instituto de Física da Universidade de São Paulo desde 1992, foi Pesquisador Visitante no Center for Quantum Devices da Northwestern University em 2005 e 2006, e é Professor Associado (Livre-Docente) desde 2012. Atua principalmente na área de epitaxia por feixe molecular (MBE), na caracterização morfológica, estrutural, óptica e elétrica de heteroestruturas semicondutoras de compostos III-V (principalmente arsenetos) e, ultimamente, na fabricação e caracterização de células solares e fotodetectores de radiação infravermelha baseados em poços e pontos quânticos. (Fonte: Currículo Lattes)
Neste projeto, pretendemos instalar em nosso laboratório os experimentos de responsividade e de ruído para QWIPs (quantum-well infrared photodetector) e QDIPs (quantum-dot infrared photodetectors) de maneira a podermos caracterizar completamente estes dispositivos do ponto de vista elétrico e óptico. Juntando estes dados experimentais com a simulação computacional das propriedades dos Q…
Neste projeto, objetivamos principalmente a compra de novos controladores de temperatura, obturadores (shutters) e cargas de material para continuarmos a produção de amostras semicondutoras destinadas à pesquisa de nosso laboratório assim como de numerosos pesquisadores da comunidade científica brasileira. Com os novos obturadores, poderemos retomar o estudo da dopagem do tipo p de camada…
Neste projeto, o bolsista crescerá pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE) amostras de pontos quânticos de InAs sobre substratos de GaAs(001) nominais e vicinais. Usando as técnicas de fotoluminescência convencional, de micro fotoluminescência, de fotoluminescência resolvida no tempo e de fotoluminescência por excitação, estudará os mecanismos de recombinação radiativa e a dinâ…
Neste projeto, pretendemos estudar o crescimento epitaxial por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p pertencentes à família III-V. Novas técnicas de dopagem serão abordadas, tais como a utilização de células de carbono sólido, o uso do silício com substratos de GaAs(311)A, e ainda uma técnica de epitaxia alternada possibilitando o emprego do sílicio sobre sibstratos de GaAs(001). A…
Nesse projeto, estudaremos o alinhamento vertical de pontos quânticos (QDs) de InGaAs. O processo de alinhamento vem sendo proposto como uma maneira promissora de se produzir QDs capazes de luminescer na região de 1,3 micrômetros. O interesse nessa região se deve ao fato da atenção das fibras ópticas atuais possuírem um mínimo na curva de absorção. O trabalho envolverá o crescimento de do…
| 12 | Auxílios à pesquisa concluídos |
| 12 | Bolsas no país concluídas |
| 24 | Todos os Auxílios e Bolsas |
| Processos vinculados | |
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
| Publicações | 4 |
| Citações | 24 |
| Cit./Artigo | 6,0 |
| Dados do Web of Science | |
MAIA, A. D. B.; DA SILVA, E. C. F.; QUIVY, A. A.; BINDILATTI, V.; DE AQUINO, V. M.; DIAS, I. F. L.. The influence of different indium-composition profiles on the electronic structure of lens-shaped InxGa1-xAs quantum dots. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 45, n. 22, JUN 6 2012. Citações Web of Science: 12. (08/00841-7)
LAMAS‚ TE; MARTINI‚ S.; DA SILVA‚ MJ; QUIVY‚ AA; LEITE‚ JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs (001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5, p. 701-703, 2003. (98/12779-0, 01/14106-8, 99/10510-7, 99/08979-7, 95/05651-0)
MARTINI, S.; QUIVY, A. A.; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.. Real-time determination of the segregation strength of indium atoms in InGaAs layers grown by molecular-beam epitaxy. Applied Physics Letters, v. 81, n. 15, p. 2863-2865, Oct. 2002. (98/12779-0, 98/14489-0, 97/07974-6)
SILVA, M. J. DA; QUIVY, A. A.. Anomalous blueshift in vertically coupled InAs/GaAs quantum dots using InGaAs strain-reducing layers. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 290-292, June 2002. (95/05651-0, 98/14489-0, 99/08979-7, 99/01225-7)
LAMAS, T. E.; QUIVY, A. A.. On the Morphology of Films Grown by Droplet-Assisted Molecular Beam Epitaxy. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 399-401, June 2002. (95/05651-0, 98/14489-0, 99/10510-7, 99/01225-7)
MARTINI, S.; QUIVY, A. A.. In-situ Determination of Indium Segregation in InGaAs/GaAs Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 359-361, June 2002. (98/12779-0, 98/14489-0, 97/07974-6)
SILVA, M. J. DA; QUIVY, A. A.; GONZÁLEZ-BORRERO, P. P.; MAREGA JUNIOR, E.. Maximization of the InAs quantum-dot density through the growth of an intentionally non-homogeneous sample. Journal of Crystal Growth, v. 236, n. 1/3, p. f^4145, Mar. 2002. (99/08979-7)
MARTINI, S.; QUIVY, A. A.; LAMAS, T. E.; SILVA, M. J. DA; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.. Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface. Journal of Crystal Growth, v. 251, n. 1/4, p. 101-105, Apr. 2003. (99/08979-7, 99/10510-7, 01/14106-8)
MAIA, A. D. B.; DA SILVA, E. C. F.; QUIVY, A. A.; BINDILATTI, V.; DE AQUINO, V. M.; DIAS, I. F. L.. Simulation of the electronic properties of InxGa1-xAs quantum dots and their wetting layer under the influence of indium segregation. Journal of Applied Physics, v. 114, n. 8, AUG 28 2013. Citações Web of Science: 8. (08/00841-7)
DA SILVA‚ MJ; QUIVY‚ AA; GONZALEZ-BORRERO‚ PP; MAREGA‚ E.. Study of the spontaneous alignment of InAs quantum dots along the surface steps as a function of the InAs coverage. Thin Solid Films, v. 410, n. 1, p. 188-193, 2002. (95/05651-0, 99/01225-7, 99/08979-7)
SILVA, M. J. DA; QUIVY, A. A.; GONZÁLEZ-BORRERO, P. P.; MAREGA JUNIOR, E.. Maximization of the InAs quantum-dot density through the growth of an intentionally non-homogeneous sample. Journal of Crystal Growth, v. 236, n. 1/3, p. f^4145, Mar. 2002. (99/08979-7)
MARTINI, S.; QUIVY, A. A.; LAMAS, T. E.; SILVA, M. J. DA; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.. Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface. Journal of Crystal Growth, v. 251, n. 1/4, p. 101-105, Apr. 2003. (99/08979-7, 99/10510-7, 01/14106-8)
LAMAS‚ TE; MARTINI‚ S.; DA SILVA‚ MJ; QUIVY‚ AA; LEITE‚ JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs (001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5, p. 701-703, 2003. (98/12779-0, 01/14106-8, 99/10510-7, 99/08979-7, 95/05651-0)
MORELHÃO‚ SL; AVANCI‚ LH; FREITAS‚ R.; QUIVY‚ AA. Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray Renninger scanning. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3, p. 219-222, 2005. (02/10185-3, 02/10387-5)
FERNANDES, F. M.; DA SILVA, E. C. F.; QUIVY, A. A.. Mid-infrared photodetection in an AlGaAs/GaAs quantum-well infrared photodetector using photoinduced noise. Journal of Applied Physics, v. 118, n. 20, NOV 28 2015. Citações Web of Science: 2. (08/00841-7)
DA SILVA‚ MJ; MARTINI‚ S.; LAMAS‚ TE; QUIVY‚ AA; DA SILVA‚ ECF; LEITE‚ JR. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 µm. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5, p. 631-633, 2003. (98/12779-0, 99/08979-7)
SILVA, M. J. DA; QUIVY, A. A.; MARTINI, S.; LAMAS, T. E.; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.. Optical response at 1.3 mu m and 1.5 mu m with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix. Journal of Crystal Growth, v. 251, n. 1/4, p. 181-185, Apr. 2003. (99/08979-7, 99/10510-7, 01/14106-8)
MARTINI, S.; QUIVY, A. A.; SILVA, M. J. DA; LAMAS, T. E.; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.; ABRAMOF, E.. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics, v. 94, n. 11, p. 7050-7052, Dec. 2003. (01/14106-8, 00/12529-6, 99/08979-7, 99/10510-7, 98/12779-0)
DUARTE, C. A.; SILVA, E. C. F. DA; QUIVY, A. A.; SILVA, M. J. DA; MARTINI, S.; LEITE, J. R.; MENESES, E. A.; LAURETO, E.. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 93, n. 10, p. 6279-6283, May 2003. (95/05651-0, 99/08979-7, 00/08794-6, 98/12779-0)
RUDNO-RUDZI{\’N}SKI‚ W.; RYCZKO‚ K.; S{\K{E}}K‚ G.; MISIEWICZ‚ J.; DA SILVA‚ MJ; QUIVY‚ AA. Photoreflectance study of energy level structure of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 µm. Solid State Communications, v. 135, n. 4, p. 232-236, 2005. (02/10185-3, 98/12779-0)
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
LAMAS, Tomás Erikson. Espectroscopia a Nível Atômico Usando um Microscópio de Tunelamento (STM). Dissertação (Mestrado) - Instituto de Física. Universidade de São Paulo (USP). São Paulo. (97/08745-0)
LAMAS, Tomás Erikson. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos. Tese (Doutorado) - Instituto de Física. Universidade de São Paulo (USP). São Paulo. (99/10510-7)
SILVA, Marcelo Jacob da. Estudo da sintonia das emissões ópticas de pontos quânticos de InAs/GaAs nas regiões de 1, 3um e 1, 5um. 115 f. Tese (Doutorado) - Instituto de Física. Universidade de São Paulo (USP). São Paulo. (99/08979-7)
SILVA, Marcelo Jacob da. Crescimento e Caracterização de Pontos Quânticos de InAs Auto-formados. Dissertação (Mestrado) - Instituto de Física. Universidade de São Paulo (USP). São Paulo. (97/05087-2)
MARTINI, Sandro. Estudo da segregação de Índio em camadas epitaxiais de In IND. X Ga IND. 1-X acrescidas sobre substratos de GaAs (001).. Tese (Doutorado) - Instituto de Física. Universidade de São Paulo (USP). São Paulo. (97/07974-6)