CV Lattes
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Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF) (Instituição-sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Possui Bacharelado em Física (1986), Mestrado em Física do Estado Sólido (1986) e Doutorado em Física (1991) pela Université Libre de Bruxelles (ULB, Bélgica). É Professor do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (IFUSP) desde 1992, foi pesquisador visitante no Center for Quantum Devices (CQD) da Northwestern University (NU, Estados Unidos) em 2005 e 2006, e é Professor Associado (Livre-Docente) do IFUSP desde 2012. Atua principalmente na área de epitaxia por feixe molecular (MBE), na caracterização morfológica, estrutural, óptica e elétrica de heteroestruturas semicondutoras de compostos III-V (principalmente arsenetos) e, ultimamente, na fabricação e caracterização de células solares e fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos. (Fonte: Currículo Lattes)
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Neste projeto, pretendemos instalar em nosso laboratório os experimentos de responsividade e de ruído para QWIPs (quantum-well infrared photodetector) e QDIPs (quantum-dot infrared photodetectors) de maneira a podermos caracterizar completamente estes dispositivos do ponto de vista elétrico e óptico. Juntando estes dados experimentais com a simulação computacional das propriedades dos Q…
Neste projeto, objetivamos principalmente a compra de novos controladores de temperatura, obturadores (shutters) e cargas de material para continuarmos a produção de amostras semicondutoras destinadas à pesquisa de nosso laboratório assim como de numerosos pesquisadores da comunidade científica brasileira. Com os novos obturadores, poderemos retomar o estudo da dopagem do tipo p de camada…
Neste projeto, o bolsista crescerá pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE) amostras de pontos quânticos de InAs sobre substratos de GaAs(001) nominais e vicinais. Usando as técnicas de fotoluminescência convencional, de micro fotoluminescência, de fotoluminescência resolvida no tempo e de fotoluminescência por excitação, estudará os mecanismos de recombinação radiativa e a dinâ…
Neste projeto, pretendemos estudar o crescimento epitaxial por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p pertencentes à família III-V. Novas técnicas de dopagem serão abordadas, tais como a utilização de células de carbono sólido, o uso do silício com substratos de GaAs(311)A, e ainda uma técnica de epitaxia alternada possibilitando o emprego do sílicio sobre sibstratos de GaAs(001). A…
Nesse projeto, estudaremos o alinhamento vertical de pontos quânticos (QDs) de InGaAs. O processo de alinhamento vem sendo proposto como uma maneira promissora de se produzir QDs capazes de luminescer na região de 1,3 micrômetros. O interesse nessa região se deve ao fato da atenção das fibras ópticas atuais possuírem um mínimo na curva de absorção. O trabalho envolverá o crescimento de do…
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