Possui graduação em Engenharia Química pela Universidade Federal de São Carlos (1983), mestrado em Física Aplicada pela Universidade de São Paulo (1986) (campus São Carlos) e doutorado em Física Aplicada pela Universidade de São Paulo (1991) (campus São Carlos). Fez livre-docência junto ao departamento de Física FC UNESP em 2002, concurso de efetivação em 2003 e concurso para professor Titular em 2010. Atualmente é Professor Titular (MS6) da Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho e foi coordenador do programa de Pós-Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais (POSMAT) (01/06/2013 a 31/10/2017). Pesquisador associado de Oregon State University, E.U.A. (06/1988-06/1990), pesquisador visitante, lab. Synchrotron SOLEIL, França (1-3/2009). Diretor do Instituo de Pesquisas Meteorológicas (IPMet)- 11/2011-5/2013. Tem experiência nas áreas de Física e Ciência dos Materiais, com ênfase em Física da Matéria Condensada, atuando principalmente nos seguintes temas: dioxido de estanho, sol-gel, semicondutores oxidos, filmes finos, transporte elétrico e arseneto de galio e aluminio. (Fonte: Currículo Lattes)
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A presente proposta envolve a preparação da heterojunção tipo-I entre SnO2 e Ga2O3, comoforma de combinar as bandas de energia na interface entre esses semicondutores óxidos paradesenvolvimento de dispositivos eletrônicos como transistores de efeito de campo (FETs) etransistores bipolares de heterojunção (HBTs). Com amostras preparadas na formapolicristalina por rota química nos laboratór…
O projeto aqui proposto envolve a deposição de filmes finos de TiO2, através da técnica de sol-gel-dip-coating, que serão combinados com camadas de derivados quinolínicos, depositados por dip-coating. Resultados anteriores mostram as dificuldades da deposição desses compostos orgânicos na forma de filmes finos por este processo, ainda que apontem para o caminho neste sentido. Desta forma…
A presente proposta envolve a deposição de camadas de dióxido de estanho (SnO2) e camadas de derivados quinolínicos (DQ), criando dispositivos transparentes simples, na forma de filmes finos, baseado na heterojunção SnO2/DQ. O SnO2 será depositado por sol-gel-dip-coating que leva a um material de alta transparência e razoáveis propriedades elétricas. Assim, combinaremos interessantes car…
A presente proposta envolve a deposição de camadas de óxido de zircônio (ZrO2), óxido com características isolantes, via sol-gel (processo químico). Além da investigação dessas camadas, propõe-se também a combinação com camadas de SnO2 criando um dispositivo transparente simples, baseado nas heterojunção SnO2/ZrO2. A idéia central do projeto é o uso desses óxidos para as funções de canal …
O projeto aqui proposto compreende o estudo do semicondutor dióxido de estanho (SnO2) e envolve a combinação deste com camadas de sulfeto de cobre (Cu2-xS), visando além do estudo acadêmico a respeito do semicondutor óxido, e das nanoestruturas desses materiais, as várias possibilidade de aplicação em dispositivos eletrônico ou optoeletrônicos ou mesmo como sensores de gás, devido à combi…
O projeto geral de doutorado compreende a investigação das propriedades de transporte na heterosestrutura SnO2/GaAs, que abriu possibilidades a vários projetos específicos aos quais nos dedicamos nos últimos anos, e que inclui esse treinamento de pesquisa no Instituto Paul- Drude, em Berlim, Alemanha, sob a supervisão do Dr. Paulo V. Santos. O trabalho que está sendo desenvolvido baseia-s…
CV Lattes
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