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Ronaldo Rodrigues Pelá

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Ministério da Defesa (Brasil). Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA). Divisão de Ciências Fundamentais (IEF)  (Instituição-sede da última proposta de pesquisa)
País de origem: Brasil

Possui graduação em Engenharia Eletrônica pelo Instituto Tecnológico de Aeronáutica (2007) e doutorado em Física pelo Instituto Tecnológico de Aeronáutica (2012). Atualmente é professor adjunto do Instituto Tecnológico de Aeronáutica. Tem experiência na área de Nanoeletrônica, com ênfase em Simulações Computacionais (cálculos de primeiros princípios). (Fonte: Currículo Lattes)

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Palavras-chave utilizadas pelo pesquisador
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(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

Publicações23
Citações288
Cit./Artigo12,5
Dados do Web of Science

PELÁ‚ RR; CAETANO‚ C.; MARQUES‚ M.; FERREIRA‚ LG; FURTHMULLER‚ J.; TELES‚ LK. Accurate band gaps of AlGaN‚ InGaN‚ and AlInN alloys calculations based on LDA-1/2 approach. Applied Physics Letters, v. 98, n. 15, p. 151907-151907, . (08/11423-1, 06/05858-0)

PELA, R. R.; MARQUES, M.; FERREIRA, L. G.; FURTHMUELLER, J.; TELES, L. K.. GaMnAs: Position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations. Applied Physics Letters, v. 100, n. 20, p. 202408-202408, . Citações Web of Science: 21. (08/11423-1, 06/05858-0)

PELÁ‚ RR; TELES‚ LK. Spin Transistors vs. Conventional Transistors: What Are the Benefits?. Journal of Superconductivity and Novel Magnetism, v. 23, n. 1, p. 61-64, . (06/05858-0, 05/03664-0)

PELA, R. R.; CAETANO, C.; MARQUES, M.; FERREIRA, L. G.; FURTHMUELLER, J.; TELES, L. K.. Accurate band gaps of AlGaN, InGaN, and AlInN alloys calculations based on LDA-1/2 approach. Applied Physics Letters, v. 98, n. 15, . Citações Web of Science: 80. (06/05858-0, 05/52231-0, 08/11423-1)

MATUSALEM, FILIPE; RIBEIRO, JR., MAURO; MARQUES, MARCELO; PELA, RONALDO R.; FERREIRA, LUIZ G.; TELES, LARA K.. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. Physical Review B, v. 88, n. 22, . Citações Web of Science: 14. (12/14617-7, 12/50738-3)

PELA, R. R.; TELES, L. K.; MARQUES, M.; MARTINI, S.. Theoretical study of the indium incorporation into III-V compounds revisited: The role of indium segregation and desorption. Journal of Applied Physics, v. 113, n. 3, . Citações Web of Science: 4. (08/11423-1, 06/05858-0, 07/06117-6)

GUILHON, I.; BECHSTEDT, F.; BOTTI, SILVANA; MARQUES, M.; TELES, L. K.. Chemically Tunable Properties of Graphene Covered Simultaneously with Hydroxyl and Epoxy Groups. Journal of Physical Chemistry C, v. 121, n. 49, p. 27603-27611, . Citações Web of Science: 2. (12/50738-3)

KODA, DANIEL S.; BECHSTEDT, FRIEDHELM; MARQUES, MARCELO; TELES, LARA K.. Trends on band alignments: Validity of Anderson's rule in SnS2- and SnSe2-based van der Waals heterostructures. Physical Review B, v. 97, n. 16, . Citações Web of Science: 12. (12/50738-3)

GUILHON, I.; BECHSTEDT, F.; BOTTI, SILVANA; MARQUES, M.; TELES, L. K.. Thermodynamic, electronic, and optical properties of graphene oxide: A statistical ab initio approach. Physical Review B, v. 95, n. 24, . Citações Web of Science: 10. (12/50738-3)

MATUSALEM, FILIPE; MARQUES, MARCELO; TELES, LARA K.; BECHSTEDT, FRIEDHELM. Stability and electronic structure of two-dimensional allotropes of group-IV materials. Physical Review B, v. 92, n. 4, . Citações Web of Science: 47. (12/50738-3, 14/13907-7)

LUCATTO, BRUNO; ASSALI, LUCY V. C.; PELA, RONALDO RODRIGUES; MARQUES, MARCELO; TELES, LARA K.. General procedure for the calculation of accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: The case of the NV- center in diamond. Physical Review B, v. 96, n. 7, . Citações Web of Science: 6. (12/50738-3)

PELA, R. R.; TELES, L. K.. Simulation of a spintronic transistor: A study of its performance. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, v. 321, n. 8, p. 984-989, . Citações Web of Science: 7. (06/05858-0, 05/03664-0)

MATUSALEM, FILIPE; PELA, RONALDO R.; MARQUES, MARCELO; TELES, LARA K.. Charge transition levels of Mn-doped Si calculated with the GGA-1/2 method. Physical Review B, v. 90, n. 22, . Citações Web of Science: 7. (12/50738-3)

PELA, R. R.; CAETANO, C.; MARQUES, M.; FERREIRA, L. G.; FURTHMUELLER, J.; TELES, L. K.. Accurate band gaps of AlGaN, InGaN, and AlInN alloys calculations based on LDA-1/2 approach. Applied Physics Letters, v. 98, n. 15, . Citações Web of Science: 80. (06/05858-0, 05/52231-0, 08/11423-1)

MATUSALEM, FILIPE; RIBEIRO, JR., MAURO; MARQUES, MARCELO; PELA, RONALDO R.; FERREIRA, LUIZ G.; TELES, LARA K.. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. Physical Review B, v. 88, n. 22, . Citações Web of Science: 14. (12/14617-7, 12/50738-3)

PELA, R. R.; TELES, L. K.; MARQUES, M.; MARTINI, S.. Theoretical study of the indium incorporation into III-V compounds revisited: The role of indium segregation and desorption. Journal of Applied Physics, v. 113, n. 3, . Citações Web of Science: 4. (08/11423-1, 06/05858-0, 07/06117-6)

PELÁ‚ RR; CAETANO‚ C.; MARQUES‚ M.; FERREIRA‚ LG; FURTHMULLER‚ J.; TELES‚ LK. Accurate band gaps of AlGaN‚ InGaN‚ and AlInN alloys calculations based on LDA-1/2 approach. Applied Physics Letters, v. 98, n. 15, p. 151907-151907, . (08/11423-1, 06/05858-0)

PELA, R. R.; MARQUES, M.; FERREIRA, L. G.; FURTHMUELLER, J.; TELES, L. K.. GaMnAs: Position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations. Applied Physics Letters, v. 100, n. 20, p. 202408-202408, . Citações Web of Science: 21. (08/11423-1, 06/05858-0)

PELÁ‚ RR; TELES‚ LK. Spin Transistors vs. Conventional Transistors: What Are the Benefits?. Journal of Superconductivity and Novel Magnetism, v. 23, n. 1, p. 61-64, . (06/05858-0, 05/03664-0)

MATUSALEM, FILIPE; MARQUES, MARCELO; TELES, LARA K.; BECHSTEDT, FRIEDHELM. Stability and electronic structure of two-dimensional allotropes of group-IV materials. Physical Review B, v. 92, n. 4, . Citações Web of Science: 47. (12/50738-3, 14/13907-7)

FREITAS, F. L.; MARQUES, M.; TELES, L. K.. First-principles determination of band-to-band electronic transition energies in cubic and hexagonal AlGaInN alloys. AIP ADVANCES, v. 6, n. 8, . Citações Web of Science: 2. (12/50738-3)

MATUSALEM, FILIPE; BECHSTEDT, FRIEDHELM; MARQUES, MARCELO; TELES, LARA K.. Quantum spin Hall phase in stanene-derived overlayers on passivated SiC substrates. Physical Review B, v. 94, n. 24, . Citações Web of Science: 10. (12/50738-3, 14/13907-7)

GUILHON, I.; KODA, D. S.; FERREIRA, L. G.; MARQUES, M.; TELES, L. K.. Approximate quasiparticle correction for calculations of the energy gap in two-dimensional materials. Physical Review B, v. 97, n. 4, . Citações Web of Science: 4. (12/50738-3)

LUCATTO, BRUNO; ASSALI, LUCY V. C.; PELA, RONALDO RODRIGUES; MARQUES, MARCELO; TELES, LARA K.. General procedure for the calculation of accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: The case of the NV- center in diamond. Physical Review B, v. 96, n. 7, . Citações Web of Science: 6. (12/50738-3)

PELA, R. R.; TELES, L. K.. Simulation of a spintronic transistor: A study of its performance. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, v. 321, n. 8, p. 984-989, . Citações Web of Science: 7. (06/05858-0, 05/03664-0)

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