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Helder Vinícius Avanço Galeti

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Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET)  (Instituição-sede da última proposta de pesquisa)
País de origem: Brasil

Professor adjunto IV do Departamento de Engenharia Elétrica da Universidade Federal de São Carlos (UFSCar). Possui formação em física básica e aplicada pela UFSCar, onde concluiu seu bacharelado (2005), licenciatura plena (2007), mestrado (2007) e doutorado (2012) em Física da Matéria Condensada. Também realizou pós-doutorado (2012-2013) na UFSCar com bolsa FAPESP. Tem experiência na área de Física e Engenharia Elétrica, com ênfase nas propriedades ópticas, magneto-ópticas, estruturais e transporte eletrônico de materiais e dispositivos semicondutores, atuando principalmente nos seguintes temas: nanoestruturas semicondutoras III-V, diodos de tunelamento ressonante, nanofios semicondutores, ligas III-V de alta desordem, óxidos semicondutores, spintronica. Coordena projetos de pesquisa na área de optoeletrônica em cooperação internacional, além de orientar estudantes em nível de graduação e pós graduação. Atualmente, é coordenador do curso de Engenharia Elétrica da UFSCar. (Fonte: Currículo Lattes)

Auxílios à pesquisa
Bolsas no país
Apoio FAPESP em números * Quantidades atualizadas em 19/09/2020
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Palavras-chave utilizadas pelo pesquisador
Publicações resultantes de Auxílios e Bolsas sob responsabilidade do(a) pesquisador(a) (14)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

Publicações14
Citações31
Cit./Artigo2,2
Dados do Web of Science

SOUTO, S.; HILSKA, J.; GOBATO, Y. GALVAO; SOUZA, D.; ANDRADE, M. B.; KOIVUSALO, E.; PUUSTINEN, J.; GUINA, M.. Raman spectroscopy of GaSb1-xBix alloys with high Bi content. Applied Physics Letters, v. 116, n. 20, . Citações Web of Science: 0. (14/50513-7, 16/10668-7)

BALANTA, M. A. G.; DE OLIVEIRA, P. B. A.; ALBALAWI, H.; GALVAO GOBATO, Y.; GALETI, H. V. A.; RODRIGUES, A. D.; HENINI, M.; ALMOSNI, S.; ROBERT, C.; BALOCCHI, A.; et al. Effects of nitrogen incorporation and thermal annealing on the optical and spin properties of GaPN dilute nitride alloys. Journal of Alloys and Compounds, v. 814, . Citações Web of Science: 1. (14/50513-7, 16/10668-7)

AL MASHARY, FAISAL S.; DE CASTRO, SUELEN; DA SILVA, ARLON FERNANDO; FELIX, JORLANDIO FRANCISCO; PITON, MARCELO RIZZO; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; GOBATO, YARA GALVAO; AL SAQRI, NOOR; HENINI, MOHAMED; et al. Effect of growth techniques on the structural, optical and electrical properties of indium doped TiO2 thin films. Journal of Alloys and Compounds, v. 766, p. 194-203, . Citações Web of Science: 6. (14/50513-7, 16/10668-7)

KOIVUSALO, EERO S.; HAKKARAINEN, TEEMU V.; GALETI, HELDER V. A.; GOBATO, YARA G.; DUBROVSKII, VLADIMIR G.; GUINA, MIRCEA D.. Deterministic Switching of the Growth Direction of Self-Catalyzed GaAs Nanowires. Nano Letters, v. 19, n. 1, p. 82-89, . Citações Web of Science: 4. (14/50513-7, 16/10668-7)

BALANTA, M. A. G.; ORSI GORDO, V.; CARVALHO, A. R. H.; PUUSTINEN, J.; ALGHAMDI, H. M.; HENINI, M.; GALETI, H. V. A.; GUINA, M.; GALVAO GOBATO, Y.. Polarization resolved photoluminescence in GaAs1-xBix/GaAs quantum wells. Journal of Luminescence, v. 182, p. 49-52, . Citações Web of Science: 4. (14/50513-7, 12/24055-6)

PITON, MARCELO RIZZO; HAKKARAINEN, TEEMU; HILSKA, JOONAS; KOIVUSALO, EERO; LUPO, DONALD; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; GOBATO, YARA GALVAO; GUINA, MIRCEA. Optimization of Ohmic Contacts to p-GaAs Nanowires. NANOSCALE RESEARCH LETTERS, v. 14, n. 1, . Citações Web of Science: 0. (14/50513-7, 16/10668-7)

BALANTA, M. A. G.; KOPACZEK, J.; ORSI GORDO, V.; SANTOS, B. H. B.; RODRIGUES, A. D.; GALETI, H. V. A.; RICHARDS, R. D.; BASTIMAN, F.; DAVID, J. P. R.; KUDRAWIEC, R.; et al. Optical and spin properties of localized and free excitons in GaBixAs1-x/GaAs multiple quantum wells. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 49, n. 35, . Citações Web of Science: 7. (16/07239-7, 14/50513-7, 12/24055-6)

ALGHAMDI, HAIFA; GORDO, VANESSA ORSI; SCHMIDBAUER, MARTIN; FELIX, JORLANDIO F.; ALHASSAN, SULTAN; ALHASSNI, AMRA; PRANDO, GABRIELA AUGUSTA; COELHO-JUNIOR, HORACIO; GUNES, MUSTAFA; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; et al. Effect of thermal annealing on the optical and structural properties of (311)B and (001) GaAsBi/GaAs single quantum wells grown by MBE. Journal of Applied Physics, v. 127, n. 12, . Citações Web of Science: 1. (19/07442-5, 18/01808-5, 16/10668-7)

HAKKARAINEN, TEEMU; PITON, MARCELO RIZZO; FIORDALISO, ELISABETTA MARIA; LESHCHENKO, EGOR D.; KOELLING, SEBASTIAN; BETTINI, JEFFERSON; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; KOIVUSALO, EERO; GOBATO, YARA GALVA; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; et al. Te incorporation and activation as n-type dopant in self-catalyzed GaAs nanowires. PHYSICAL REVIEW MATERIALS, v. 3, n. 8, . Citações Web of Science: 0. (18/01808-5, 14/50513-7, 16/10668-7)

PRANDO, G. A.; ORSI GORDO, V.; PUUSTINEN, J.; HILSKA, J.; ALGHAMDI, H. M.; SOM, G.; GUNES, M.; AKYOL, M.; SOUTO, S.; RODRIGUES, A. D.; et al. Exciton localization and structural disorder of GaAs1-xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 8, . Citações Web of Science: 0. (16/10668-7, 14/50513-7, 12/24055-6)

RODRIGUES, D. H.; BRASIL, M. J. S. P.; ORLITA, M.; KUNC, J.; GALETI, H. V. A.; HENINI, M.; TAYLOR, D.; GALVAO GOBATO, Y.. Hole spin injection from a GaMnAs layer into GaAs-AlAs-InGaAs resonant tunneling diodes. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 49, n. 16, . Citações Web of Science: 0. (14/50513-7, 12/24055-6)

PITON, MARCELO RIZZO; KOIVUSALO, EERO; HAKKARAINEN, TEEMU; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; TALMILA, SOILE; SOUTO, SERGIO; LUPO, DONALD; GOBATO, YARA GALVAO; GUINA, MIRCEA. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires. Nanotechnology, v. 30, n. 33, . Citações Web of Science: 1. (18/01808-5, 14/50513-7, 16/10668-7)

GUNES, M.; UKELGE, M. O.; DONMEZ, O.; EROL, A.; GUMUS, C.; ALGHAMDI, H.; GALETI, H. V. A.; HENINI, M.; SCHMIDBAUER, M.; HILSKA, J.; et al. Optical properties of GaAs1-xBix/GaAs quantum well structures grown by molecular beam epitaxy on (100) and (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 12, . Citações Web of Science: 0. (14/50513-7, 16/10668-7)

ORSI GORDO, V.; BALANTA, M. A. G.; GALVAO GOBATO, Y.; COVRE, F. S.; GALETI, H. V. A.; IIKAWA, F.; COUTO, JR., O. D. D.; QU, F.; HENINI, M.; HEWAK, D. W.; et al. Revealing the nature of low-temperature photoluminescence peaks by laser treatment in van der Waals epitaxially grown WS2 monolayers. NANOSCALE, v. 10, n. 10, p. 4807-4815, . Citações Web of Science: 7. (16/16365-6, 16/10668-7, 14/50513-7, 12/11382-9)

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